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AS4C2M32SA-6TCN IC DRAM 64 MBIT PAR 86TSOP II Alliance Memory, Inc.
AS4C2M32SA-6TCN IC DRAM 64 MBIT PAR 86TSOP II Alliance Memory, Inc.
Especificações
Número do modelo :
AS4C2M32SA-6TCN
Quantidade mínima de encomenda :
1
Condições de pagamento :
T/T
Capacidade de abastecimento :
Em existência
Tempo de entrega :
3-5 dias úteis
Detalhes da embalagem :
Saco antiestático e caixa de papelão
Tipo da memória :
Temporário
Formato da memória :
GOLE
Tecnologia :
SDRAM
Tamanho de memória :
64Mbit
Organização da memória :
2M x 32
Relação da memória :
Paralelo
Frequência de pulso de disparo :
166 MHz
Escreva o tempo de ciclo - palavra, página :
2ns
Tempo de acesso :
5,5 ns
Voltagem - Fornecimento :
3 V ~ 3,6 V
Temperatura de funcionamento :
0°C ~ 70°C (TA)
Tipo de montagem :
Montagem de superfície
Embalagem / Caixa :
86-TFSOP (0,400", largura de 10.16mm)
Pacote de dispositivos do fornecedor :
86-TSOP II
Descrição

Detalhes do produto

Descrição funcional

O AS4C256K16E0 é uma memória de acesso aleatório dinâmico CMOS (DRAM) de 4 megabit de alto desempenho organizada em 262.144 palavras por 16 bits.O AS4C256K16E0 é fabricado com tecnologia CMOS avançada e projetado com técnicas de design inovadoras que resultam em alta velocidade, extremamente baixa potência e largas margens de funcionamento a nível dos componentes e dos sistemas.

Características

• Organização: 262.144 palavras × 16 bits
• Alta velocidade
- Tempo de acesso ao RAS de 30/35/50 ns
- 16/18/25 ns tempo de acesso ao endereço da coluna
- 7/10/10/10 ns Tempo de acesso ao CAS
• Baixo consumo de energia
- Ativos: 500 mW max (AS4C256K16E0-25)
- Standby: 3,6 mW max, CMOS I/O (AS4C256K16E0-25)
• Modo de página EDO
• Refrescar
- 512 ciclos de actualização, intervalo de actualização de 8 ms
- Reaproveitamento somente do RAS ou do CAS antes do RAS ou autoaproveitamento
- A opção de auto-refresh está disponível apenas para dispositivos de nova geração.
• Leitura-modificação-escrita
• Compatível com TTL, E/S de três estados
• Pacotes padrão JEDEC
- 400 mil, 40 pinos SOJ
- 400 mil, 40/44 pin TSOP II
• Fornecimento de energia de 5 V
• Corrente de retenção > 200 mA

Especificações

Atributo Atributo Valor
Fabricante Alliance Memory, Inc.
Categoria de produtos IC de memória
Série -
Embalagem Caixa
Embalagem 86-TFSOP (0,400", 10,16 mm de largura)
Temperatura de funcionamento 0°C ~ 70°C (TA)
Interface Paralelo
Fornecimento de tensão 3 V ~ 3,6 V
Embalagem do produto do fornecedor 86-TSOP II
Capacidade de memória 64M (2M x 32)
Tipo de memória SDRAM
Velocidade 166 MHz
Memória de formato Memória RAM

Descrições

Memória SDRAM IC 64 Mb (2M x 32) Paralelo 166MHz 5.5ns 86-TSOP II
SDRAM, 64M,3.3V 166MHz, 2M x 32
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AS4C2M32SA-6TCN IC DRAM 64 MBIT PAR 86TSOP II Alliance Memory, Inc.

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Detalhes do produto
Número do modelo :
AS4C2M32SA-6TCN
Quantidade mínima de encomenda :
1
Condições de pagamento :
T/T
Capacidade de abastecimento :
Em existência
Tempo de entrega :
3-5 dias úteis
Detalhes da embalagem :
Saco antiestático e caixa de papelão
Fornecedor de contacto
AS4C2M32SA-6TCN IC DRAM 64 MBIT PAR 86TSOP II Alliance Memory, Inc.

Sanhuang electronics (Hong Kong) Co., Limited

Verified Supplier
3 Anos
shenzhen
Desde 2005
Tipo de empresa :
Distribuidor/Wholesaler, Trading Empresa
Produtos principais :
, ,
Total Anual :
1000000-3000000
Número de trabalhadores :
100~150
Nível de certificação :
Verified Supplier
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