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MT46H16M32LFB5-5 IT:C TR IC DRAM 512MBIT PAR 90VFBGA Micron Technology Inc.
MT46H16M32LFB5-5 IT:C TR IC DRAM 512MBIT PAR 90VFBGA Micron Technology Inc.
Especificações
Número do modelo :
MT416M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M
Quantidade mínima de encomenda :
1
Condições de pagamento :
T/T
Capacidade de abastecimento :
Em existência
Tempo de entrega :
3-5 dias úteis
Detalhes da embalagem :
Saco antiestático e caixa de papelão
Tipo da memória :
Temporário
Formato da memória :
GOLE
Tecnologia :
SDRAM - LPDDR móvel
Tamanho de memória :
512Mbit
Organização da memória :
16M x 32
Relação da memória :
Paralelo
Frequência de pulso de disparo :
200 MHz
Escreva o tempo de ciclo - palavra, página :
15ns
Tempo de acesso :
5 ns
Voltagem - Fornecimento :
1.7V ~ 1.95V
Temperatura de funcionamento :
-40°C ~ 85°C (TA)
Tipo de montagem :
Montagem de superfície
Embalagem / Caixa :
90-VFBGA
Pacote de dispositivos do fornecedor :
90-VFBGA (8x13)
Descrição

Detalhes do produto

SDRAM DDR de baixa potência móvel

Características

• VDD/VDDQ = 1,70­1,95 V
• Strobo de dados bidirecionais por byte de dados (DQS)
• Arquitetura interna de dupla taxa de dados (DDR) por conduta; dois acessos de dados por ciclo de relógio
• Entradas de relógio diferencial (CK e CK#)
• Os comandos inseridos em cada borda CK positiva
• DQS alinhado em bordas com dados para READs; centro alinhado com dados para WRITEs
• 4 bancos internos para operação simultânea
• Máscaras de dados (DM) para mascarar dados de gravação; uma máscara por byte
• Comprimentos de rajadas programáveis (BL): 2, 4, 8 ou 16
• Opção de pré-carregamento automático simultâneo é suportada
• Modo de atualização automática e auto-actualização
• Entrada compatível com LVCMOS de 1,8 V
• Auto-refrescamento compensado por temperatura (TCSR)
• Auto-refrescamento de matriz parcial (PASR)
• Desligamento profundo (DPD)
• Registo de leitura de estado (SRR)
• Força de acionamento de saída selecionável (DS)
• Capacidade de parar o relógio
• 64ms de atualização, 32ms para a temperatura do automóvel

Especificações

AtributoAtributo Valor
FabricanteMicron Technology Inc.
Categoria de produtosIC de memória
Série-
EmbalagemEmbalagens alternativas de fita e bobina (TR)
Embalagem90 VFBGA
Temperatura de funcionamento-40°C ~ 85°C (TA)
InterfaceParalelo
Fornecimento de tensão10,7 V ~ 1,95 V
Embalagem do produto do fornecedor90 VFBGA (8x13)
Capacidade de memória512M (16M x 32)
Tipo de memóriaSDRAM LPDDR móvel
Velocidade200 MHz
Memória de formatoMemória RAM

Descrições

SDRAM - Memória LPDDR móvel IC 512Mb (16M x 32) Paralela 200MHz 5.0ns 90-VFBGA (8x13)
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MT46H16M32LFB5-5 IT:C TR IC DRAM 512MBIT PAR 90VFBGA Micron Technology Inc.

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Detalhes do produto
Número do modelo :
MT416M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M
Quantidade mínima de encomenda :
1
Condições de pagamento :
T/T
Capacidade de abastecimento :
Em existência
Tempo de entrega :
3-5 dias úteis
Detalhes da embalagem :
Saco antiestático e caixa de papelão
Fornecedor de contacto
MT46H16M32LFB5-5 IT:C TR IC DRAM 512MBIT PAR 90VFBGA Micron Technology Inc.

Sanhuang electronics (Hong Kong) Co., Limited

Verified Supplier
3 Anos
shenzhen
Desde 2005
Tipo de empresa :
Distribuidor/Wholesaler, Trading Empresa
Produtos principais :
, ,
Total Anual :
1000000-3000000
Número de trabalhadores :
100~150
Nível de certificação :
Verified Supplier
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