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MT46V32M16P-5B:J TR IC DRAM 512MBIT PARALELO 66TSOP Micron Technology Inc.
MT46V32M16P-5B:J TR IC DRAM 512MBIT PARALELO 66TSOP Micron Technology Inc.
Especificações
Número do modelo :
MT46V32M16P-5B:J TR
Quantidade mínima de encomenda :
1
Condições de pagamento :
T/T
Capacidade de abastecimento :
Em existência
Tempo de entrega :
3-5 dias úteis
Detalhes da embalagem :
Saco antiestático e caixa de papelão
Tipo da memória :
Temporário
Formato da memória :
GOLE
Tecnologia :
SDRAM - DDR
Tamanho de memória :
512Mbit
Organização da memória :
32M x 16
Relação da memória :
Paralelo
Frequência de pulso de disparo :
200 MHz
Escreva o tempo de ciclo - palavra, página :
15ns
Tempo de acesso :
700 picosegundos
Voltagem - Fornecimento :
2,5V ~ 2,7V
Temperatura de funcionamento :
0°C ~ 70°C (TA)
Tipo de montagem :
Montagem de superfície
Embalagem / Caixa :
66-TSSOP (0,400", largura de 10.16mm)
Pacote de dispositivos do fornecedor :
66-TSOP
Descrição

Detalhes do produto

Descrição funcional

A DDR SDRAM usa uma arquitetura de taxa de dados dupla para alcançar uma operação de alta velocidade.A arquitetura de taxa de dados dupla é essencialmente uma arquitetura 2n-prefetch com uma interface projetada para transferir duas palavras de dados por ciclo de relógio nos pinos de I / O. Um único acesso de leitura ou gravação para a DDR SDRAM consiste efetivamente de uma única transferência de dados de 2n bits de largura, de um ciclo de relógio no núcleo interno da DRAM e de dois correspondentes de n bits de largura,transferências de dados de meio ciclo de horas nos pinos de E/S.

Características

• VDD = +2,5V ±0,2V, VDDQ = +2,5V ±0,2V
• VDD = +2,6V ±0,1V, VDDQ = +2,6V ±0,1V (DDR400)
• Transmissão bidireccional de dados estroboscópicos (DQS)
recebido com dados, ou seja, dados síncronos com a fonte
capture (x16 tem dois 1 por byte)
• Taxa de dupla transmissão interna de dados (DDR)
Arquitetura; dois acessos de dados por ciclo de relógio
• Entradas de relógio diferencial (CK e CK#)
• Os comandos inseridos em cada borda CK positiva
• DQS alinhado em bordas com dados de READ; alinhado centralmente com dados de WRITE
• DLL para alinhar as transições DQ e DQS com CK
• Quatro bancos internos para funcionamento simultâneo
• Máscara de dados (DM) para mascarar dados de gravação
(x16 tem dois 1 por byte)
• Comprimentos de rajadas programáveis: 2, 4 ou 8
• Actualização automática
¢ 64 ms, ciclo 8192 (comercial e industrial)
- 16 ms, 8192 ciclos (automóvel)
• Auto- atualização (não disponível em dispositivos AT)
• TSOP de maior duração para melhorar a fiabilidade (OCPL)
• 2.5V de entrada/saída (compatível com SSTL_2)
• Opção de pré-carregamento automático simultâneo é suportada
• suporte ao bloqueio do tRAS (tRAP = tRCD)

Especificações

Atributo Atributo Valor
Fabricante Micron Technology Inc.
Categoria de produtos IC de memória
Série -
Embalagem Embalagens alternativas de fita e bobina (TR)
Embalagem 66-TSSOP (0,400", 10,16 mm de largura)
Temperatura de funcionamento 0°C ~ 70°C (TA)
Interface Paralelo
Fornecimento de tensão 2.5 V ~ 2,7 V
Embalagem do produto do fornecedor 66-TSOP
Capacidade de memória 512M (32M x 16)
Tipo de memória DDR SDRAM
Velocidade 5n
Memória de formato Memória RAM

Descrições

SDRAM - Memória DDR IC 512Mb (32M x 16) Paralela 200MHz 700ps 66-TSOP
Chip DRAM DDR SDRAM 512Mbit 32Mx16 2.6V 66-Pin TSOP T/R
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Detalhes do produto
Número do modelo :
MT46V32M16P-5B:J TR
Quantidade mínima de encomenda :
1
Condições de pagamento :
T/T
Capacidade de abastecimento :
Em existência
Tempo de entrega :
3-5 dias úteis
Detalhes da embalagem :
Saco antiestático e caixa de papelão
Fornecedor de contacto
MT46V32M16P-5B:J TR IC DRAM 512MBIT PARALELO 66TSOP Micron Technology Inc.

Sanhuang electronics (Hong Kong) Co., Limited

Verified Supplier
3 Anos
shenzhen
Desde 2005
Tipo de empresa :
Distribuidor/Wholesaler, Trading Empresa
Produtos principais :
, ,
Total Anual :
1000000-3000000
Número de trabalhadores :
100~150
Nível de certificação :
Verified Supplier
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