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MR4A16BYS35 IC RAM 16 MBIT PARALELO 54TSOP2 Everspin Technologies Inc.
MR4A16BYS35 IC RAM 16 MBIT PARALELO 54TSOP2 Everspin Technologies Inc.
Especificações
Número do modelo :
MR4A16BYS35
Quantidade mínima de encomenda :
1
Condições de pagamento :
T/T
Capacidade de abastecimento :
Em estoque
Tempo de entrega :
3-5 dias úteis
Detalhes da embalagem :
Saco antiestático e caixa de papelão
Tipo da memória :
Permanente
Formato da memória :
Memória RAM
Tecnologia :
MRAM (RAM magnetoresistiva)
Tamanho de memória :
16Mbit
Organização da memória :
1M x 16
Relação da memória :
Paralelo
Frequência de pulso de disparo :
-
Escreva o tempo de ciclo - palavra, página :
35ns
Tempo de acesso :
35 ns
Voltagem - Fornecimento :
3 V ~ 3,6 V
Temperatura de funcionamento :
0°C ~ 70°C (TA)
Tipo de montagem :
Montagem de superfície
Embalagem / Caixa :
54-TSOP (0,400", largura de 10.16mm)
Pacote de dispositivos do fornecedor :
54-TSOP2
Descrição

Detalhes do produto

MR3 Reflectores de lâmpadas

MR4 Reflectores de lâmpadas

MR6 Conjuntos de lâmpadas refletoras

Reflectores de foco ajustáveis

Especificações

Atributo Atributo Valor
Fabricante Everspin
Categoria de produtos IC de memória
Série MR4A16B
Embalagem Embalagens alternativas de bandeja
Estilo de montagem SMD/SMT
Embalagem 54-TSOP (0,400", 10,16 mm de largura)
Temperatura de funcionamento 0°C ~ 70°C (TA)
Interface Paralelo
Fornecimento de tensão 3 V ~ 3,6 V
Embalagem do produto do fornecedor 54-TSOP2
Capacidade de memória 16M (1M x 16)
Tipo de memória MRAM (RAM magnetoresistiva)
Velocidade 35n
Tempo de acesso 35 ns
Memória de formato Memória RAM
Temperatura máxima de funcionamento + 70 C
Intervalo de temperatura de funcionamento 0 C
Corrente de abastecimento operacional 110 mA
Tipo de interface Paralelo
Organização 1 M x 16
Largura do Data-Bus 16 bits
Voltagem de alimentação máxima 3.6 V
Voltagem de alimentação-min 3 V
Embalagem TSOP-54
Componente funcional compatívelForma, embalagem, componente funcional compatível
Parte do fabricante Descrição Fabricante Comparação
MR4A16BYS35R
Memória		 Circuito de memória, 1MX16, CMOS, PDSO54, TSOP2-54 Everspin Technologies MR4A16BYS35 versus MR4A16BYS35R
MR4A16BCYS35R
Memória		 Circuito de memória, 1MX16, CMOS, PDSO54, TSOP2-54 Everspin Technologies MR4A16BYS35 versus MR4A16BCYS35R
MR4A16BMYS35R
Memória		 Circuito de memória, 1MX16, CMOS, PDSO54, compatível com a ROHS, MS-024, TSOP2-54 Everspin Technologies MR4A16BYS35 versus MR4A16BMYS35R
MR4A16BMYS35
Memória		 Circuito de memória, 1MX16, CMOS, PDSO54, compatível com a ROHS, MS-024, TSOP2-54 Everspin Technologies MR4A16BYS35 versus MR4A16BMYS35
MR4A16BCYS35
Memória		 Circuito de memória, 1MX16, CMOS, PDSO54, TSOP2-54 Everspin Technologies MR4A16BYS35 versus MR4A16BCYS35

Descrições

MRAM (RAM magnetoresistiva) Memória IC 16Mb (1M x 16) Paralela 35ns 54-TSOP2
MRAM 16Mbit Paralelo 3.3V 54-Pin TSOP Tray
NVRAM 16Mb 3.3V 35ns 1Mx16 MRAM paralela
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MR4A16BYS35 IC RAM 16 MBIT PARALELO 54TSOP2 Everspin Technologies Inc.

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Detalhes do produto
Número do modelo :
MR4A16BYS35
Quantidade mínima de encomenda :
1
Condições de pagamento :
T/T
Capacidade de abastecimento :
Em estoque
Tempo de entrega :
3-5 dias úteis
Detalhes da embalagem :
Saco antiestático e caixa de papelão
Fornecedor de contacto
MR4A16BYS35 IC RAM 16 MBIT PARALELO 54TSOP2 Everspin Technologies Inc.

Sanhuang electronics (Hong Kong) Co., Limited

Verified Supplier
3 Anos
shenzhen
Desde 2005
Tipo de empresa :
Distribuidor/Wholesaler, Trading Empresa
Produtos principais :
Circuito integrado IC, Módulo do RF IC, Gestão CI do poder
Total Anual :
1000000-3000000
Número de trabalhadores :
100~150
Nível de certificação :
Verified Supplier
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