Descrição geral

Esta descrição aplica-se especificamente ao dispositivo de memória não volátil M29F de 16 Mb (2 Meg x 8 ou 1 Meg x 16), mas também aplica-se a densidades mais baixas.O programa tem como objectivo:, de baixa tensão (4,5 ∼5,5 V). No momento da ligação, o dispositivo é definido como modo de leitura e pode ser lido da mesma forma que uma ROM ou EPROM.
O dispositivo é dividido em blocos que podem ser apagados independentemente, preservando dados válidos enquanto os dados antigos são apagados.Cada bloco pode ser protegido de forma independente para evitar que operações acidentais de PROGRAMA ou ERASE modifiquem a memória. COMANDOS PROGRAMA e ESCRITA são escritos na interface de comando.Um controlador de programação / apagamento no chip simplifica o processo de programação ou apagamento do dispositivo gerenciando as operações necessárias para atualizar o conteúdo da memória.
O final de uma operação PROGRAMA ou ERASE pode ser detectado e quaisquer condições de erro identificadas.

Características

• Tensão de alimentação
VCC = 5V
• Tempo de acesso: 55 s
• Controlador de programação/apagamento
Algoritmos de programação de byte/word incorporados
• Apagar os modos de suspensão e retomada
• Baixo consumo de energia
¢ Dispositivos de espera e automáticos
• 100 000 ciclos de PROGRAMA/ERASE por bloco
• Assinatura electrónica
Código do fabricante: 0x01h
• Códigos dos principais dispositivos
M29F200FT: 0x2251
M29F400FT 0x2223
M29F800FT: 0x22D6
M29F160FT: 0x22D2
• Códigos dos dispositivos inferiores
M29F200FB 0x2257
M29F400B: 0x22AB
M29F800FB: 0x2258
M29F160FB: 0x22D8
• Embalagens compatíveis com a RoHS
¢ TSOP48
SO44 (16Mb não disponível para este pacote)
• Dispositivos para automóveis grau 3
Temperatura: de 40°C a +125°C
• Dispositivos para automóveis grau 6
Temperatura: de 40°C a +85°C
• Certificado de qualidade automotiva (AEC-Q100)