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TH58NVG3S0HTAI0 IC FLASH 8GBIT PARALELO 48TSOP I Kioxia America, Inc.
TH58NVG3S0HTAI0 IC FLASH 8GBIT PARALELO 48TSOP I Kioxia America, Inc.
Especificações
Número do modelo :
- Não, não, não.
Quantidade mínima de encomenda :
1
Condições de pagamento :
T/T
Capacidade de abastecimento :
Em existência
Tempo de entrega :
3-5 dias úteis
Detalhes da embalagem :
Saco antiestático e caixa de papelão
Tipo da memória :
Permanente
Formato da memória :
FLASH
Tecnologia :
FLASH - NAND (SLC)
Tamanho de memória :
8 Gbits
Organização da memória :
1G x 8
Relação da memória :
Paralelo
Frequência de pulso de disparo :
-
Escreva o tempo de ciclo - palavra, página :
25ns
Tempo de acesso :
25 ns
Voltagem - Fornecimento :
2.7V ~ 3.6V
Temperatura de funcionamento :
-40°C ~ 85°C (TA)
Tipo de montagem :
Montagem de superfície
Embalagem / Caixa :
48-TFSOP (0,724", largura de 18.40mm)
Pacote de dispositivos do fornecedor :
48-TSOP I
Descrição

Detalhes do produto

[Toshiba]

2GBIT (256M u 8BITS) CMOS NAND E2PROM

Descrição

O TH58NVG1S3A é um único 3,3-V 2G-bit (2,214,592,512 bits) NAND Memória somente leitura eletricamente apagável e programável (NAND E2PROM) organizada como (2048 + 64) bytes x 64 páginas x 2048 blocos.O dispositivo tem um registro estático de 2112 bytes que permite que os dados de programação e leitura sejam transferidos entre o registro e a matriz de células de memória em incrementos de 2112 bytesA operação de apagamento é implementada numa única unidade de bloco (128 Kbytes + 4Kbytes: 2112 bytes x 64 páginas).
O TH58NVG1S3A é um dispositivo de memória de tipo serial que utiliza os pinos de E/S tanto para endereço e entrada/saída de dados como para entradas de comando.As operações de apagamento e programação são executadas automaticamente, tornando o dispositivo mais adequado para aplicações como armazenamento de arquivos de estado sólido, gravação de voz, memória de ficheiros de imagem para câmaras fixas e outros sistemas que requerem armazenamento de dados de memória não volátil de alta densidade.

Características

• Organização
Célula de memória allay 2112 u 64K u 8 u 2
Registo 2112 u 8
Tamanho da página 2112 bytes
Tamanho do bloco (128K 4K) bytes
• Modos
Leia, Reinicie, Programa de Página Automática
Auto-Bloqueio de apagamento, leitura de status
• Controle do modo
Entrada/saída em série
Controle de comando
• Fornecimento de energia VCC 2,7 V a 3,6 V
• Ciclos de programação/apagamento 1E5 Ciclos ((Com ECC)
• Tempo de acesso
Arquivo de células para registar 25 μs max
Ciclo de leitura em série 50 ns min
• Corrente de funcionamento
Leitura (ciclo de 50 ns) 10 mA tipo.
Programa (média) 10 mA tipo.
Eliminação (média) 10 mA tip.
50 μA no máximo em modo de espera
• Pacote
TSOP I 48-P-1220-0.50 ((Peso: 0,53 g tip.)

Especificações

Atributo Atributo Valor
Fabricante TOSHIBA
Categoria de produtos IC de memória
Série -
Embalagem Caixa
Embalagem 48-TFSOP (0,724", 18,40 mm de largura)
Temperatura de funcionamento -40°C ~ 85°C (TA)
Interface Paralelo/Sérias
Fornecimento de tensão 2.7 V ~ 3.6 V
Embalagem do produto do fornecedor 48-TSOP I
Capacidade de memória 8G (1G x 8)
Tipo de memória EEPROM - NAND
Velocidade 25 ns
Memória de formato EEPROM - Bus de dados de entrada/saída em série

Descrições

NAND Flash Paralelo 3.3V 8G-bit 1G x 8
EEPROM 3.3V, 8 Gbit CMOS e NAND EEPROM
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TH58NVG3S0HTAI0 IC FLASH 8GBIT PARALELO 48TSOP I Kioxia America, Inc.

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Detalhes do produto
Número do modelo :
- Não, não, não.
Quantidade mínima de encomenda :
1
Condições de pagamento :
T/T
Capacidade de abastecimento :
Em existência
Tempo de entrega :
3-5 dias úteis
Detalhes da embalagem :
Saco antiestático e caixa de papelão
Fornecedor de contacto
TH58NVG3S0HTAI0 IC FLASH 8GBIT PARALELO 48TSOP I Kioxia America, Inc.

Sanhuang electronics (Hong Kong) Co., Limited

Verified Supplier
3 Anos
shenzhen
Desde 2005
Tipo de empresa :
Distribuidor/Wholesaler, Trading Empresa
Produtos principais :
, ,
Total Anual :
1000000-3000000
Número de trabalhadores :
100~150
Nível de certificação :
Verified Supplier
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