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IS41LV16100B-50KL IC DRAM 16MBIT PARALLEL 42SOJ ISSI, Solução Integrada de Silício Inc.
IS41LV16100B-50KL IC DRAM 16MBIT PARALLEL 42SOJ ISSI, Solução Integrada de Silício Inc.
Especificações
Número do modelo :
IS41LV16100B-50KL
Quantidade mínima de encomenda :
1
Condições de pagamento :
T/T
Capacidade de abastecimento :
Em existência
Tempo de entrega :
3-5 dias úteis
Detalhes da embalagem :
Saco antiestático e caixa de papelão
Tipo da memória :
Temporário
Formato da memória :
GOLE
Tecnologia :
DRAM - EDO
Tamanho de memória :
16Mbit
Organização da memória :
1M x 16
Relação da memória :
Paralelo
Frequência de pulso de disparo :
-
Escreva o tempo de ciclo - palavra, página :
-
Tempo de acesso :
25 ns
Voltagem - Fornecimento :
3 V ~ 3,6 V
Temperatura de funcionamento :
0°C ~ 70°C (TA)
Tipo de montagem :
Montagem de superfície
Embalagem / Caixa :
42-BSOJ (0,400", 10,16 mm de largura)
Pacote de dispositivos do fornecedor :
42-SOJ
Descrição

Detalhes do produto

Descrição

O ISSIIS41LV16100B é 1,048Memórias de Acesso Dinâmico aleatório CMOS de alto desempenho de 576 x 16 bits. Estes dispositivos oferecem um acesso de ciclo acelerado chamado Modo de Página EDO. O Modo de Página EDO permite 1,024 acessos aleatórios numa única linha com um tempo de ciclo de acesso tão curto como 20 ns por palavra de 16 bits.

Características

• Entradas e saídas compatíveis com o TTL; E/S de três estados
• Intervalo de atualização:
Modo de atualização automática: 1.024 ciclos / 16 ms
¢ somente RAS, CAS antes de RAS (CBR) e oculto
• Pinout padrão JEDEC
• Fonte de alimentação única: 3,3 V ± 10%
• Operação de Byte Write e Byte Read através de dois CAS
• Faixa de temperatura industrial: -40oC a +85oC
• Disponível sem chumbo

Especificações

AtributoAtributo Valor
FabricanteISSI
Categoria de produtosChips IC
Série-
EmbalagemTubos
Embalagem42-BSOJ (0,400", 10,16 mm)
Temperatura de funcionamento0°C ~ 70°C (TA)
InterfaceParalelo
Fornecimento de tensão3 V ~ 3,6 V
Embalagem do produto do fornecedor42-SOJ
Capacidade de memória16M (1M x 16)
Tipo de memóriaDRAM - EDO
Velocidade50 ns
Memória de formatoMemória RAM

Descrições

Memória DRAM - EDO IC 16Mb (1M x 16) Paralela 25ns 42-SOJ
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IS41LV16100B-50KL IC DRAM 16MBIT PARALLEL 42SOJ ISSI, Solução Integrada de Silício Inc.

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Detalhes do produto
Número do modelo :
IS41LV16100B-50KL
Quantidade mínima de encomenda :
1
Condições de pagamento :
T/T
Capacidade de abastecimento :
Em existência
Tempo de entrega :
3-5 dias úteis
Detalhes da embalagem :
Saco antiestático e caixa de papelão
Fornecedor de contacto
IS41LV16100B-50KL IC DRAM 16MBIT PARALLEL 42SOJ ISSI, Solução Integrada de Silício Inc.

Sanhuang electronics (Hong Kong) Co., Limited

Verified Supplier
3 Anos
shenzhen
Desde 2005
Tipo de empresa :
Distribuidor/Wholesaler, Trading Empresa
Produtos principais :
Circuito integrado IC, Módulo do RF IC, Gestão CI do poder
Total Anual :
1000000-3000000
Número de trabalhadores :
100~150
Nível de certificação :
Verified Supplier
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