IKW40N65H5 IKW25N120T2 IHW20N120R5 IKW50N60H3 isolou o transistor bipolar da porta
Aplicações
•Solarconverters
•Uninterruptiblepowersupplies
•Weldingconverters
•Midtohighrangeswitchingfrequencyconverters
Especificações
Atributo de produto | Valor de atributo |
---|---|
Categoria de produto: | Transistor de IGBT |
Si | |
TO-247-3 | |
650 V | |
1,65 V | |
- 20 V, + 20 V | |
74 A | |
250 W | |
- 40 C | |
+ 175 C | |
Corrente do escapamento do Porta-emissor: | nA 100 |
Descrição
TRANSISTOR BIPOLAR ISOLADO DA PORTA COM O DIODO MACIO ULTRAFAST DA RECUPERAÇÃO
Características
HighspeedH5technologyoffering •
Melhor--Classefficiencyinhardswitchingandresonant em topologias
•PlugandplayreplacementofpreviousgenerationIGBTs •650Vbreakdownvoltage •LowgatechargeQG •IGBTcopackedwithRAPID1fastandsoftantiparalleldiode •Maximumjunctiontemperature175°C •QualifiedaccordingtoJEDECfortarg
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Retorno garantia |
Retorno |
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