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2SA1943-O ((Q) Bipolar (BJT) Transistor PNP 230 V 15 A 30MHz 150 W através do buraco TO-3P ((L)
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Especificações
Número do modelo :
2SA1943-O (((Q)
Local de origem :
JP
Quantidade mínima de encomenda :
1 PCS
Condições de pagamento :
T/T, Western Union
Capacidade de abastecimento :
5000
Tempo de entrega :
1 dia
Detalhes da embalagem :
Caixa
Descrição :
2SA1943-O ((Q) Bipolar (BJT) Transistor PNP 230 V 15 A 30MHz 150 W através do buraco TO-3P ((L)
Resíduos :
2000pcs
Código de data :
Código mais recente
Transporte por :
DHL/UPS/Fedex
Condição :
Novo*Original
Garantia :
365 dias
Sem chumbo :
Compatível com a norma Rohs
Prazos de execução :
Envio imediato
Pacote :
TO-3P-3
Estilo de montagem :
Através do Buraco
Descrição

2SA1943-O ((Q) Bipolar (BJT) Transistor PNP 230 V 15 A 30MHz 150 W através do buraco TO-3P ((L)

2SA1943-O(Q) Bipolar (BJT) Transistor PNP 230 V 15 A 30MHz 150 W através do buraco

Toshiba
Categoria do produto: Transistores bipolares - BJT
RoHS: Detalhes
Através do Buraco
TO-3P-3
PNP
Solteiro
230 V
230 V
5 V
1.5 V
15 A
150 W
30 MHz
-
+ 150 C
2SA
Caixa
Marca: Toshiba
Corrente contínua do colector: - 15 A
Receptor de corrente contínua/Ganho de base hfe Min: 55
Ganho de corrente contínua hFE Max: 160
Altura: 26 mm
Duração: 20.5 mm
Tipo de produto: BJT - Transistores bipolares
Subcategoria: Transistores
Tecnologia: Sim
Largura: 5.2 mm
Peso unitário: 0.238311 onças

Aplicações de amplificadores de potência

• Alta tensão do colector: VCEO=-230 V (min)
• Complementar ao 2SC5200
• Recomendado para a fase de saída de um amplificador de frequência de áudio de alta fidelidade de 100 W.

2SA1943-O ((Q) Bipolar (BJT) Transistor PNP 230 V 15 A 30MHz 150 W através do buraco TO-3P ((L)

Especificações

  • Fabricante: Toshiba
  • Tipo de transistor: NPN
  • Tipo de embalagem: TO-3PL
  • Dissipação máxima de potência: 150 W
  • Voltagem do emissor do colector (VCEO): 230 V
  • Corrente máxima do colector: 15A
  • O ganho de corrente contínua (hFE) (min) @ Ic, Vce: 55 @ 1A, 5V
  • Frequência: 30 MHz
  • Tipo de montagem: através de um buraco
  • Temperatura de funcionamento: 150°C TJ
  • Estatuto da parte: Obsoleta

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Detalhes do produto
Número do modelo :
2SA1943-O (((Q)
Local de origem :
JP
Quantidade mínima de encomenda :
1 PCS
Condições de pagamento :
T/T, Western Union
Capacidade de abastecimento :
5000
Tempo de entrega :
1 dia
Fornecedor de contacto
vídeo
2SA1943-O ((Q) Bipolar (BJT) Transistor PNP 230 V 15 A 30MHz 150 W através do buraco TO-3P ((L)
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Wisdtech Technology Co.,Limited

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2 Anos
guangdong, shenzhen
Produtos principais :
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Número de trabalhadores :
>100
Nível de certificação :
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