2SC5200-O(Q) Transistor bipolar (BJT) NPN 230 V 15 A 30MHz 150 W através do buraco
Fabricante:
Toshiba
Categoria do produto:
Transistores bipolares - BJT
RoHS:
Estilo de montagem:
Através do Buraco
Embalagem / Caixa:
TO-3P-3
Polaridade do transistor:
NPN
Configuração:
Solteiro
Voltagem do colector-emissor VCEO Max:
230 V
Receptor- Voltagem de base VCBO:
230 V
Emitente-Tensão de Base VEBO:
5 V
Voltagem de saturação do colector-emissor:
400 mV
Corrente máxima do colector de corrente contínua:
15 A
Pd - Dissipação de energia:
150 W
Produto de ganho de largura de banda fT:
30 MHz
Temperatura de funcionamento mínima:
-
Temperatura máxima de funcionamento:
+ 150 C
Série:
2SC
Embalagem:
Caixa
Marca:
Toshiba
Corrente contínua do colector:
15 A
Receptor de corrente contínua/Ganho de base hfe Min:
55
Ganho de corrente contínua hFE Max:
160
Altura:
26 mm
Duração:
20.5 mm
Tipo de produto:
BJT - Transistores bipolares
Subcategoria:
Transistores
Tecnologia:
Sim
Largura:
5.2 mm
Peso unitário:
0.239863 onças
Aplicações de amplificadores de potência
• Alta tensão de ruptura: VCEO = 230 V (min)
• Complementar ao 2SA1943
• Adequado para utilização em amplificadores de áudio de alta fidelidade de 100 W
Especificações
Fabricante: Toshiba
Tipo de transistor: NPN
Tipo de embalagem: TO-3PL
Dissipação máxima de potência: 150 W
Voltagem do emissor do colector (VCEO): 230 V
Corrente máxima do colector: 15A
O ganho de corrente contínua (hFE) (min) @ Ic, Vce: 55 @ 1A, 5V
Frequência: 30 MHz
Tipo de montagem: através de um buraco
Temperatura de funcionamento: 150°C TJ
Estatuto da parte: Obsoleta