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BS816A-1 Modo de melhoria do canal P DMOS TRANSISTOR TRANSISTOR RF de alta potência
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Especificações
Número do modelo :
BS816A-1
Local de origem :
Estados Unidos
Quantidade mínima de encomenda :
1 PCS
Condições de pagamento :
T/T, Western Union
Capacidade de abastecimento :
5000
Tempo de entrega :
1 dia
Detalhes da embalagem :
Padrão
Código de data :
Código mais recente
Transporte por :
DHL/UPS/FEDEX
Condição :
Novo*Original
Garantia :
365 dias
Sem chumbo :
Compatível com a norma Rohs
Prazos de execução :
Envio imediato
Pacote :
16NSOP
Estilo de montagem :
SMD/SMT
Descrição

BS816A-1 Modo de melhoria do canal P DMOS TRANSISTOR TRANSISTOR RF

Diodos
Categoria do produto: Melhoria do canal P
RoHS: Detalhes
-
16NSOP
Padrão
Peso unitário: - Oz.

 

Este transistor é adequado para amplificadores de potência de RF em várias aplicações, como comunicação sem fio,

Equipamento de radiodifusão e equipamento industrial de RF.

● Modo de reforço do canal P
● Tecnologia de transistores DMOS
● Capacidade de gestão de alta potência
● Ampla faixa de frequências
● Baixo nível de ruído
● Grande ganho
● Boa linearidade
● Pequena distorção do sinal
● Compatível com a RoHS
 

 

Características
• Alta tensão de ruptura
• Alta impedância de entrada
• Velocidade de mudança rápida
• Especialmente adequado para subconjuntos telefónicos
• Ideal para montagem automática de superfície

 

BS816A-1 Modo de melhoria do canal P DMOS TRANSISTOR TRANSISTOR RF de alta potência

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Detalhes do produto
Número do modelo :
BS816A-1
Local de origem :
Estados Unidos
Quantidade mínima de encomenda :
1 PCS
Condições de pagamento :
T/T, Western Union
Capacidade de abastecimento :
5000
Tempo de entrega :
1 dia
Fornecedor de contacto
vídeo
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Wisdtech Technology Co.,Limited

Active Member
2 Anos
guangdong, shenzhen
Produtos principais :
, ,
Número de trabalhadores :
>100
Nível de certificação :
Active Member
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