N-tipo de 2inch 3inch 4inch InAs Wafer Crystal Substrates para MBE 99,9999% Monocrystalline
 

Introduza da carcaça de InAs

O índio InAs ou o mono-arsenieto do índio são um semicondutor composto do índio e do arsênico. Tem a aparência de um cristal cúbico cinzento com um ponto de derretimento do arsenieto do índio 942°C. é usado para construir os detectores infravermelhos com uma escala de comprimento de onda de 1-3.8um. O detector é geralmente um fotodiodo fotovoltaico. Os detectores refrigerando criogênicos têm um mais baixo ruído, mas os detectores de InAs podem igualmente ser usados para aplicações de alta potência na temperatura ambiente. O arsenieto do índio é usado igualmente para fazer lasers do diodo. O arsenieto do índio é similar ao arsenieto de gálio e é um material direto da diferença de faixa. O arsenieto do índio é usado às vezes com fosforeto de índio. Liga com o arsenieto de gálio para formar o arsênico do índio - um material cuja a diferença de faixa dependa da relação de In/Ga. Este método é principalmente similar ao nitreto de liga do índio com nitreto do gálio produzir o nitreto do índio. O arsenieto do índio é sabido para suas mobilidade de elétron alta e diferença de faixa estreita. É amplamente utilizado como uma fonte de radiação do terahertz porque é um emissor luz-ambarino poderoso.

Características da bolacha de InAs:

* com mobilidade de elétron e relação altas da mobilidade (μe/μh=70), é um material ideal para dispositivos de salão.

* o MBE pode ser crescido com materiais multi-epitaxial de GaAsSb, de InAsPSb, e de InAsSb.

* o método de selagem líquido (CZ), assegura-se de que a pureza do material possa alcançar 99,9999% (6N).

* todas as carcaças precisamente são lustradas e enchidas com uma atmosfera protetora para cumprir as exigências de Epi-pronto.

* seleção de cristal do sentido: Um outro sentido de cristal está disponível, por exemplo (110).

* as técnicas de medida óticas, tais como ellipsometry, asseguram uma superfície limpa em cada carcaça.