Wafers InP de 4 polegadas preparados para Epi tipo N tipo p tipo EPF < 1000cm2 com espessura de 325um±50um

Resumo do produto

O nosso produto, a "Wafer de Índio Fosfeto de Alta Pureza", está na vanguarda da inovação em semicondutores.um semicondutor binário conhecido pela sua velocidade eletrônica superior, a nossa bolacha oferece desempenho incomparável em aplicações optoeletrônicas, transistores rápidos e diodos de túnel de ressonância.Com ampla utilização em dispositivos eletrónicos de alta frequência e de alta potênciaA sua proficiência na comunicação de fibra óptica de alta velocidade, possibilitada pela sua capacidade de emitir e detectar comprimentos de onda acima de 1000nm,A sua importância nas telecomunicaçõesServindo como um substrato para lasers e fotodiodos em aplicações de Datacom e Telecom, a nossa wafer integra-se perfeitamente em infraestruturas críticas.O nosso produto é a pedra angularOferecendo 99,99% de pureza, as nossas placas de fosfeto de ínio garantem uma eficiência e eficácia incomparáveis.impulsionando o progresso tecnológico para o futuro.

Propriedades do produto

1. Velocidade Superior de Eletrões:Derivadas do fosfeto de ínio, as nossas placas ostentam uma velocidade de elétrons excepcional, superando a dos semicondutores convencionais como o silício.Este atributo sustenta a sua eficácia em aplicações optoeletrônicas, transistores rápidos e diodos de tunelagem por ressonância.

2. Performance de alta frequência:Os nossos wafers encontram ampla utilização em dispositivos eletrónicos de alta frequência e de alta potência, demonstrando a sua capacidade de suportar requisitos operacionais exigentes com facilidade.

3. Eficiência óptica:Com capacidade para emitir e detectar comprimentos de onda superiores a 1000 nm, os nossos wafers se destacam em sistemas de comunicação de fibra óptica de alta velocidade, garantindo uma transmissão de dados confiável através de diversas redes.

4. Substrato versátil:Servindo como um substrato para laser e fotodiodos em aplicações Datacom e Telecom, as nossas placas integram-se perfeitamente em várias infra-estruturas tecnológicas,Facilitar um desempenho e uma escalabilidade robustos.

5. Pureza e fiabilidade:Com uma pureza de 99,99%, as nossas bolhas de fosfeto de ínio garantem um desempenho e uma durabilidade consistentes, satisfazendo as exigências rigorosas das tecnologias modernas de telecomunicações e dados.

6. Projeto à prova de futuro:Posicionados na vanguarda da inovação em semicondutores, os nossos wafers antecipam as necessidades das tecnologias emergentes, tornando-os componentes indispensáveis para ligações de fibra óptica,Redes de acesso de anel de metro, e centros de dados em meio à iminente revolução 5G.

7. Especificações:

    

   Materiais	InP de cristal único	Orientação	< 100>
   Tamanho ((mm)	Dia 50,8 × 0,35 mm, 10 × 10 × 0,35 mm 10 × 5 × 0,35 mm	Superfície rugosa	Ra:≤ 5A
   Poluição	SSP (polida de superfície única) ou DSP (poluição de dupla superfície)

    

   Propriedades químicas do cristal InP:

   Cristal único	Dopados	Tipo de condução	Concentração do portador	Relatório de mobilidade	Densidade de dislocação	Tamanho normal
   InP	/	N	(0,4-2) × 1016	(3.5-4) ×103	5 × 104	F2 × 0,35 mm F3 × 0,35 mm
   InP	S	N	(0,8-3) ×1018 (4-6) ×1018	(2.0-2.4) ×103 (1.3-1.6) ×103	3 × 104 2 × 103	F2 × 0,35 mm F3 × 0,35 mm
   InP	Zn	P	(0,6-2) ×1018	70 a 90	2 × 104	F2 × 0,35 mm F3 × 0,35 mm
   InP	Fe	N	107- 108	≥ 2000	3 × 104	F2 × 0,35 mm F3 × 0,35 mm

    

   Propriedades básicas:

   Estrutura cristalina	Tetraédrico ((M4)	Constante de grelha	a = 5,869 Å
   Densidade	40,81 g/cm3	Ponto de fusão	1062 °C
   Massa molar	1450,792 g/mol	Aparência	Cristais cúbicos pretos
   Estabilidade química	ligeiramente solúvel em ácidos	Mobilidade dos elétrons ((@300K)	5400 cm2/ ((V·s)
   Bandgap ((@ 300 K)	1.344eV	Conductividade térmica ((@ 300K)	0.68 W/ ((cm·K)
   Índice de refração	3.55 ((@ 632.8nm)

8. Aplicações do produto

1. Dispositivos optoeletrônicos:Nossas bolhas de fosfeto de ínio são amplamente utilizadas em aplicações optoeletrônicas, incluindo diodos emissores de luz (LEDs), diodos laser e fotodetectores.Sua velocidade eletrônica superior e eficiência óptica tornam-nos ideais para a produção de componentes optoeletrônicos de alto desempenho.

2. Transistores de alta velocidade:A velocidade excepcional dos elétrons das nossas placas permite a fabricação de transistores de alta velocidade, essenciais para aplicações que exigem um rápido processamento de sinal e velocidades de comutação.Estes transistores encontram uso nas telecomunicações, computadores e sistemas de radar.

3. Comunicação por fibra óptica:As bolhas de fosfeto de ínio são indispensáveis em sistemas de comunicação de fibra óptica de alta velocidade devido à sua capacidade de emitir e detectar comprimentos de onda superiores a 1000 nm.Permitem a transmissão de dados a longas distâncias com perda mínima de sinal, tornando-os vitais para as redes de telecomunicações e centros de dados.

4. Diodos de túnel de ressonância:Os nossos wafers são utilizados na produção de diodos de tunelagem de ressonância, que apresentam efeitos de tunelagem quântica únicos.Terahertz imagem, e computação quântica.

5. Eletrónica de alta frequência:As wafers InP são comumente empregadas em dispositivos eletrônicos de alta frequência e alta potência, incluindo amplificadores de microondas, sistemas de radar e comunicações por satélite.A sua elevada mobilidade electrónica e fiabilidade tornam-nas adequadas para aplicações aeroespaciais e de defesa exigentes..

6. Infra-estruturas de telecomunicações e telecomunicações:Servindo como substratos para diodos laser e fotodiodos, os nossos wafers contribuem para o desenvolvimento da infra-estrutura de Datacom e Telecom,Apoio às redes de transmissão de dados e telecomunicações de alta velocidadeSão componentes integrais em transceptores ópticos, switches de fibra óptica e sistemas de multiplexagem por divisão de comprimento de onda.

7. Tecnologias emergentes:À medida que as tecnologias emergentes, como o 5G, a Internet das Coisas (IoT) e os veículos autônomos continuam a evoluir, a demanda por wafers de fosfeto de ínio só aumentará.Estes wafers desempenharão um papel crucial na possibilidade da próxima geração de comunicações sem fios, redes de sensores e dispositivos inteligentes.

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