Especificações
Quantidade mínima de encomenda :
5
Condições de pagamento :
T/T,
Tempo de entrega :
2-4 semanas
Ponto de ebulição :
2,230° C (4,046° F)
SORRISOS :
O=[Si]=O
Tolerância de espessura de óxido :
+/- 5% (ambos lados)
Índice de refração :
550nm de 1,4458 ± 0.0001
Conductividade térmica :
Cerca de 1,4 W/m·K @ 300K
Peso Molecular :
60.09
Áreas de aplicação :
Fabricação de semicondutores, microeletrónica, dispositivos ópticos, etc.
Descrição

 

Wafer SiO2 Laver de óxido térmico Espessura 20um+5% Sistema de comunicação óptica MEMS

Descrição do produto:

A bolacha de dióxido de silício SIO2 serve como um elemento fundamental na fabricação de semicondutores.Este substrato crucial está disponível em diâmetros de 6 e 8 polegadasA partir daí, o material é utilizado para a fabricação de produtos de alta resistência dieletrica.O seu índice de refração, aproximadamente 1,4458 a 1550 nm, garante um desempenho ideal em diversas aplicações.

Reconhecida por sua uniformidade e pureza, esta bolacha é uma escolha ideal para dispositivos ópticos, circuitos integrados e microeletrônicos.As suas propriedades facilitam processos de fabricação de dispositivos precisos e apoiam os avanços tecnológicosAlém do seu papel fundamental na fabricação de semicondutores, estende a sua fiabilidade e funcionalidade a um espectro de aplicações, garantindo estabilidade e eficiência.

Com os seus atributos excepcionais, a bolacha de dióxido de silício SIO2 continua a impulsionar inovações na tecnologia de semicondutores, permitindo avanços em campos como circuitos integrados,OptoeletrónicaAs suas contribuições para tecnologias de ponta sublinham a sua importância como material fundamental na produção de semicondutores.

Camada de óxido térmico SiO2 Espessura da bolacha 20um Sistema de comunicação óptica MEMS

Características:

  • Nome do produto: Substrato de semicondutores
  • Índice de refração: 550nm de 1,4458 ± 0.0001
  • Ponto de ebulição: 2,230° C
  • Áreas de aplicação: Fabricação de semicondutores, microelectrónica, dispositivos ópticos, etc.
  • Espessura: 20 mm, 10 mm, 25 mm
  • Peso molecular: 60.09
  • Material semicondutor: Sim
  • Material do substrato: Sim
  • Aplicações: Fabricação de semicondutores, Microelectrónica, Dispositivos ópticos, etc.
 Camada de óxido térmico SiO2 Espessura da bolacha 20um Sistema de comunicação óptica MEMS

Parâmetros técnicos:

Parâmetro Especificações
Espessura 20um, 10um, 25um
Densidade 2533 Kg/m-3
Tolerância de espessura de óxido +/- 5% (ambos lados)
Áreas de aplicação Fabricação de semicondutores, microeletrónica, dispositivos ópticos, etc.
Ponto de fusão 1,600° C (2,912° F)
Conductividade térmica Cerca de 1,4 W/m·K @ 300K
Índice de refração Aproximadamente 1.44
Peso Molecular 60.09
Coeficiente de expansão 0.5 × 10^-6/°C
Índice de refração 550nm de 1,4458 ± 0.0001
Orifícios de óxido de silício ultraespessos Aplicações
Oxidação superficial Wafer ultrafinos
Conductividade térmica Cerca de 1,4 W/m·K @ 300K
 Camada de óxido térmico SiO2 Espessura da bolacha 20um Sistema de comunicação óptica MEMS

Aplicações:

  1. Transistores de película fina:Empregado na produção de dispositivos TFT.
  2. Células solares:Utilizado como substrato ou camada isolante na tecnologia fotovoltaica.
  3. MEMS (Sistemas Micro-Electro-Mecânicos):Crucial para o desenvolvimento de dispositivos MEMS.
  4. Sensores químicos:Utilizado para detecção química sensível.
  5. Dispositivos biomédicos:Empregado em várias aplicações biomédicas.
  6. Energia fotovoltaica:Apoia a tecnologia de células solares para conversão de energia.
  7. Passivação superficial:Auxílios na protecção da superfície dos semicondutores.
  8. Guia de ondas:Usado em comunicação óptica e fotônica.
  9. Fibras ópticas:Integrado em sistemas de comunicação óptica.
  10. Sensores de gás:Empregado na detecção e análise de gases.
  11. Nanostructuras:Utilizado como substrato para o desenvolvimento de nanoestruturas.
  12. Capacitores:Utilizado em várias aplicações elétricas.
  13. Sequenciamento de ADN:Apoia aplicações na investigação genética.
  14. Biosensores:Usado para análises biológicas e químicas.
  15. Microfluídica:Integral na fabricação de dispositivos microfluídicos.
  16. Diodos emissores de luz (LED):Suporta a tecnologia LED em várias aplicações.
  17. Microprocessadores:Essencial para a produção de dispositivos de microprocessadores.
 Camada de óxido térmico SiO2 Espessura da bolacha 20um Sistema de comunicação óptica MEMSPersonalização:
Substrato de semicondutores

Marca:ZMSH

Número do modelo:Orifícios de óxido de silício ultraespessos

Local de origem:China

O nosso substrato semicondutor é projetado com alta condutividade térmica, oxidação superficial e wafer de óxido de silício ultra espesso.4 W/(m·K) @ 300K e ponto de fusão de 1O ponto de ebulição é 2.230° C e a orientação é <100><11><110>. O peso molecular deste substrato é 60.09.

 

Apoio e Serviços:

Fornecemos suporte técnico e serviço para o nosso produto de Substrato de Semicondutores.Também podemos fornecer assistência na solução de problemas que você encontrar durante o uso do produtoTambém oferecemos assistência remota para aqueles que precisam dela. Nossa equipe de suporte está disponível durante o horário comercial normal, e podemos ser alcançados por telefone, e-mail ou através do nosso site.

 

Embalagem e transporte:

Embalagem e transporte de substrato de semicondutores:

  • Os produtos embalados devem ser manuseados com cuidado, utilizando sempre que possível uma cobertura protetora, como borracha ou espuma.
  • Se possível, use várias camadas de cobertura protetora.
  • Marque a embalagem com o conteúdo e o destino.
  • Envie o pacote usando um serviço de envio apropriado.
 

Perguntas frequentes:

P: Qual é a marca do Substrato de Semicondutores?
A: A marca é ZMSH.
P: Qual é o número de modelo do Substrato de Semicondutores?
R: O número do modelo é wafer de óxido de silício ultra espesso.
P: Onde é feito o Substrato de Semicondutores?
R: É feito na China.
P: Qual é o propósito do substrato semicondutor?
R: O substrato semicondutor é utilizado na fabricação de circuitos integrados, sistemas microeletromecânicos e outras microestruturas.
P: Qual é a característica do substrato semicondutor?
R: As características do Substrato Semicondutor incluem baixo coeficiente de expansão térmica, alta condutividade térmica, alta resistência mecânica e excelente resistência à temperatura.
 
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Quantidade mínima de encomenda :
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Condições de pagamento :
T/T,
Tempo de entrega :
2-4 semanas
Ponto de ebulição :
2,230° C (4,046° F)
SORRISOS :
O=[Si]=O
Tolerância de espessura de óxido :
+/- 5% (ambos lados)
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