GaP Wafer, Gallium Phosphide Orientação de cristal único (111)A 0°±0.2 Células solares

Descrição do produto:

Gallium Phosphide GaP, um semicondutor importante de propriedades elétricas únicas como outros materiais compostos III-V, cristaliza na estrutura cúbica ZB termodinâmicamente estável,é um material cristalino semitransparente de cor laranja-amarelo com um intervalo de banda indireta de 2.26 eV (300K), que é sintetizado a partir de gálio e fósforo de alta pureza de 6N 7N, e transformado em cristal único pela técnica Liquid Encapsulated Czochralski (LEC).O cristal de fosfeto de gálio é dopado com enxofre ou telúrio para obter um semicondutor de tipo n, e zinco dopado como condutividade de tipo p para fabricação posterior em wafer desejado, que tem aplicações em sistemas ópticos, dispositivos eletrônicos e outros optoeletrônicos.A bolacha GaP de cristal único pode ser preparada Epi-Ready para o seu LPEAplicação epitaxial de MOCVD e MBE.A condutividade n-tipo ou não dopada na Western Minmetals (SC) Corporation pode ser oferecida em tamanho 2′′ e 3′′ (50mm), 75 mm de diâmetro), orientação < 100>, < 111> com acabamento de superfície de processo de corte, polir ou epi-pronto.

Características:

• Ampla faixa de banda adequada para emitir comprimentos de onda específicos de luz.
• GaP Wafer Excelentes propriedades ópticas que permitem a produção de LEDs de várias cores.
• Alta eficiência na geração de luzes vermelhas, amarelas e verdes para LEDs.
• Capacidade superior de absorção de luz em comprimentos de onda específicos.
• Boa condutividade elétrica que facilita os dispositivos eletrônicos de alta frequência.
• Wafer GaP Estabilidade térmica adequada para um desempenho fiável.
• Estabilidade química adequada para processos de fabrico de semicondutores.
• GaP Wafer Parâmetros favoráveis da rede para o crescimento epitaxial de camadas adicionais.
• Capacidade de servir como substrato para deposição de semicondutores.
• Wafer GaP Material robusto com alta condutividade térmica.
• Excelentes capacidades optoeletrônicas para fotodetectores.
• Versatilidade na concepção de dispositivos ópticos para faixas de comprimento de onda específicas.
• GaP Wafer Aplicação potencial em células solares para absorção de luz adaptada.
• Estruturas de rede relativamente combinadas para o crescimento de semicondutores de qualidade.
• Papel essencial na fabricação de LEDs, diodos laser e fotodetectores devido às suas propriedades ópticas e elétricas.

Parâmetros técnicos:

Aplicações:

1. Fabricação de LEDs GaP Wafer para a produção de luzes vermelhas, amarelas e verdes.
2. Fabricação de diodos GaP Wafer Laser para diversas aplicações ópticas.
3. Desenvolvimento de fotodetectores GaP Wafer para faixas de comprimento de onda específicas.
4. Utilização de Wafer GaP em sensores optoeletrônicos e sensores de luz.
5. GaP Wafer Integração de células solares para absorção de espectro de luz personalizada.
6. GaP Wafer Produção de painéis de exibição e luzes indicadoras.
7. GaP Wafer Contribuição para dispositivos eletrónicos de alta frequência.
8. Formação de Wafer GaP de dispositivos ópticos para faixas de comprimento de onda distintas.
9. GaP Wafer Utilização em telecomunicações e sistemas de comunicação óptica.
10. GaP Wafer Desenvolvimento de dispositivos fotónicos para processamento de sinal.
11. Incorporação de Wafer GaP em sensores infravermelhos (IR) e ultravioleta (UV).
12. Implementação de Wafer GaP em dispositivos de detecção biomédica e ambiental.
13. Aplicação de Wafer GaP em sistemas ópticos militares e aeroespaciais.
14. Integração da Wafer GaP na espectroscopia e na instrumentação analítica.
15. Utilização de Wafer GaP na investigação e desenvolvimento de tecnologias emergentes.

Personalização:

Apoio e Serviços:

Fornecemos uma ampla gama de suporte técnico e serviços para os nossos produtos de Substrato de Semicondutores.

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