Especificações
Número de modelo :
InP
Lugar de origem :
CHINA
MOQ :
3PCS
Termos do pagamento :
T/T, Western Union
Capacidade da fonte :
500pcs
Prazo de entrega :
2-4weeks
Detalhes de empacotamento :
único pacote da bolacha no quarto desinfetado de 1000 categorias
Material :
InP
método do crescimento :
vFG
Tamanho :
2~ 4 POLEGADAS
Espessura :
350-650um
Aplicação :
Material direto do semicondutor do bandgap de III-V
Superfície :
ssp/dsp
PACOTE :
única caixa da bolacha
Descrição

TIPO carcaça S+/lubrificado bolachas Zn+ /Fe das bolachas 3inch 4inch N/P do InP 2inch do semicondutor do InP +

 

o crescimento (método alterado de VFG) é usado para puxar um único cristal com partir encapsulant do líquido bórico do óxido de uma semente.

O entorpecente (Fe, S, Sn ou Zn) é adicionado ao cadinho junto com o polycrystal. A alta pressão é aplicada dentro da câmara para impedir a decomposição da empresa do índio Phosphide.he desenvolveu um processo para render a pureza inteiramente stoechiometric, alta e o baixo cristal do inP da densidade de deslocação único.

A técnica de VFG melhora em cima dos agradecimentos do método de LEC a uma tecnologia térmica do defletor em relação a um numérico

modelagem de condições térmicas do crescimento. o tCZ é uma tecnologia madura eficaz na redução de custos com reprodutibilidade de alta qualidade do boule ao boule.

 

Aplicações:
IIt tem as vantagens da velocidade eletrônica alta da tração do limite, da boa resistência de radiação e da boa condução de calor. Apropriado para dispositivos de alta frequência, de alta velocidade, de alta potência da fabricação da micro-ondas e circuitos integrados.

 

Características:
1. O cristal é crescido pela tecnologia líquido-selada do reto-desenho (LEC), com tecnologia madura e desempenho elétrico estável.
2, usando o instrumento direcional do raio X para a orientação precisa, o desvio da orientação de cristal são somente ±0.5°
3, a bolacha são lustrados (CMP) pela tecnologia de lustro mecânica química, aspereza de superfície <0> 4, para conseguir “as exigências prontos para uso da caixa aberta”
5, de acordo com exigências de usuário, processamento especial do produto das especificações

 

650um grosso carcaça do semicondutor do InP do único cristal de 4 polegadas

650um grosso carcaça do semicondutor do InP do único cristal de 4 polegadas

650um grosso carcaça do semicondutor do InP do único cristal de 4 polegadas

   
             
tamanho (milímetros) Dia50.8x0.5mm, 10×10×0.5mm, 10×5×0.5mm pode ser personalizado
ra Aspereza de superfície (Ra):<>
polimento único ou dobros tome partido lustrado
pacote saco de plástico da limpeza de 100 categorias em 1000 quartos desinfetados

 

650um grosso carcaça do semicondutor do InP do único cristal de 4 polegadas650um grosso carcaça do semicondutor do InP do único cristal de 4 polegadas

---FAQ –

Q: São você empresa comercial ou o fabricante?

: o zmkj é uma empresa comercial mas para ter um fabricante da safira
 como um fornecedor de bolachas dos materiais do semicondutor para um período largo das aplicações.

Q: Quanto tempo é seu prazo de entrega?

: Geralmente é 5-10 dias se os bens estão no estoque. ou é 15-20 dias se os bens não são

no estoque, é de acordo com a quantidade.

Q: Você fornece amostras? são livre ou extra?

: Sim, nós poderíamos oferecer a amostra para a carga livre mas não pagamos o custo do frete.

Q: Que é seus termos de pagamento?

: Payment=1000USD<>,
50% T/T adiantado, equilíbrio antes da expedição.
Se você tem uma outra pergunta, os pls sentem livres contactar-nos como abaixo:

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650um grosso carcaça do semicondutor do InP do único cristal de 4 polegadas

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Número de modelo :
InP
Lugar de origem :
CHINA
MOQ :
3PCS
Termos do pagamento :
T/T, Western Union
Capacidade da fonte :
500pcs
Prazo de entrega :
2-4weeks
Fornecedor de contacto
650um grosso carcaça do semicondutor do InP do único cristal de 4 polegadas
650um grosso carcaça do semicondutor do InP do único cristal de 4 polegadas
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Desde 2013
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