Especificações
Número de modelo :
molde 2inch
Lugar de origem :
CHINA
MOQ :
5pcs
Termos do pagamento :
T/T
Capacidade da fonte :
50pcs pelo mês
Prazo de entrega :
1-5weeks
Detalhes de empacotamento :
única caixa da bolacha pelo pacote do vácuo
Material :
GaN na safira
Tamanho :
2 polegadas
Espessura :
4mm na safira de 0.43mm
TIPO :
N-type un-doped
Aplicação :
Diodo emissor de luz
Descrição

molde das carcaças de 2inch GaN, bolacha para LeD, bolacha semiconducting para o ld, molde de GaN do nitreto do gálio de GaN, mocvd GaN Wafer, GaN Substrates autônomo pelo tamanho personalizado, bolacha pequena para o diodo emissor de luz, bolacha 10x10mm de GaN do tamanho do nitreto do gálio do mocvd, 5x5mm, bolacha de 10x5mm GaN, GaN Substrates autônomo Não-polar (um-plano e m-plano)

molde da camada de GaN AlGaN AlN da espessura de 2inch 1um 4um pelo MOCVD em carcaças da safira de SSP 430um

 

GaN Wafer Characteristic

  1. Iii-nitreto (GaN, AlN, pensão)

O nitreto do gálio é um tipo de semicondutores compostos de largo-Gap. A carcaça do nitreto do gálio (GaN) é

uma carcaça de alta qualidade do único-cristal. É feita com método de HVPE e tecnologia de processamento originais da bolacha, que foi desenvolvida originalmente para 10+years em China. As características são uniformidade cristalina, boa alta, e qualidade de superfície superior. As carcaças de GaN são usadas para muitos tipos dos pedidos, para o diodo emissor de luz branco e o LD (violeta, azul e verde) além disso, desenvolvimento progrediu para o poder e aplicações de alta frequência do dispositivo eletrónico.

 

A largura de banda proibida (luminescente e absorção) cobre a luz e o infravermelho ultravioletas, visíveis.

 

Aplicação

GaN pode ser usado em muitas áreas tais como a exposição de diodo emissor de luz, a detecção alta-tensão e a imagem latente,
Exposição da projeção do laser, dispositivo de poder, etc.

  • Exposição da projeção do laser, dispositivo de poder, etc.       Armazenamento da data
  • iluminação Energia-eficiente                                        Exposição do fla da cor completa
  • Laser Projecttions                                                 Dispositivos eletrónicos de grande eficacia
  • Dispositivos de alta frequência da micro-ondas                   Detecção alta-tensão e para imaginar
  • Tecnologia nova do hidrogênio do solor da energia               Detecção do ambiente e medicina biológica
  • Faixa do terahertz da fonte luminosa

2Inch 4inch GaN Gallium Nitride Wafer autônomo

Especificações:

2Inch 4inch GaN Gallium Nitride Wafer autônomo2Inch 4inch GaN Gallium Nitride Wafer autônomo

2Inch 4inch GaN Gallium Nitride Wafer autônomo

2Inch 4inch GaN Gallium Nitride Wafer autônomo

 

SOBRE NOSSA fábrica do OEM

2Inch 4inch GaN Gallium Nitride Wafer autônomo

 

Nossa visão da empresa de Factroy
nós forneceremos a carcaça de alta qualidade de GaN e a tecnologia da aplicação para a indústria nossa fábrica.
GaNmaterial de alta qualidade é o fator de restrição para a aplicação dos Iii-nitretos, por exemplo longa vida
e estabilidade alta LDs, poder superior e dispositivos altos da micro-ondas da confiança, brilho alto
e eficiência elevada, diodo emissor de luz de poupança de energia.

- FAQ –
Q: Que você pode fornecer a logística e o custo?
(1) nós aceitamos DHL, Fedex, TNT, UPS, EMS, SF e etc.
(2) se você tem seu próprio número expresso, é grande.
Se não, nós poderíamos ajudar-lhe a entregar. Freight=USD25.0 (o primeiro peso) + USD12.0/kg

Q: Que é o prazo de entrega?
(1) para os produtos padrão tais como a bolacha de 2inch 0.33mm.
Para o inventário: a entrega é 5 dias úteis após a ordem.
Para produtos personalizados: a entrega é as 2 ou 4 semanas de trabalho após a ordem.

Q: Como pagar?
100%T/T, Paypal, união ocidental, MoneyGram, pagamento seguro e segurança de comércio.

Q: Que é o MOQ?
(1) para o inventário, o MOQ é 5pcs.
(2) para produtos personalizados, o MOQ é 5pcs-10pcs.
Depende da quantidade e das técnicas.

Q: Você tem o relatório de inspeção para o material?
Nós podemos fornecer o relatório de ROHS e alcançar relatórios para nossos produtos.

 

 

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MOQ :
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Termos do pagamento :
T/T
Capacidade da fonte :
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Prazo de entrega :
1-5weeks
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2Inch 4inch GaN Gallium Nitride Wafer autônomo
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7 Anos
shanghai, shanghai
Desde 2013
Tipo de empresa :
Manufacturer, Agent, Importer, Exporter, Trading Company
Produtos principais :
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Total Anual :
1000000-1500000
Nível de certificação :
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