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Tipo da bolacha N de Epi do si do diâmetro 200mm AlGaN para o micro diodo emissor de luz 6 polegadas
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Especificações
Number modelo :
si Epiwafer de 8inch 6inch AlGaN/GaN HEMT-em-hora
Lugar de origem :
CHINA
MOQ :
1pcs
Termos do pagamento :
T/T
Capacidade da fonte :
50PCS pelo mês
Prazo de entrega :
1-5weeks
Detalhes de empacotamento :
única caixa da bolacha pelo pacote do vácuo
Materiais :
Camada de GaN no substrato sI
Tamanho :
8 polegadas / 6 polegadas
Espessura de GaN :
2-5UM
Tipo :
N-TYPE
Aplicação :
Dispositivo de semicondutor
Descrição

 

8 polegadas 6 polegadas AlGaN/GaN HEMT-on-HR Si Epiwafer GaN-on-Si Epiwafer para Micro-LED para aplicação de RF

 

Características da wafer GaN

  1. III-nitreto ((GaN,AlN,InN)

O Nitruro de Gállio é um tipo de semicondutor composto de grande espaço.

Um substrato monocristalino de alta qualidade, fabricado com o método HVPE original e tecnologia de processamento de wafer, que foi originalmente desenvolvido há mais de 10 anos na China.As características são cristalinas.Os substratos de GaN são utilizados para muitos tipos de aplicações, para LED branco e LD ((violeta, azul e verde).O desenvolvimento avançou para aplicações de dispositivos electrónicos de potência e alta frequência.

 

 

Para aplicação de energia

Tipo da bolacha N de Epi do si do diâmetro 200mm AlGaN para o micro diodo emissor de luz 6 polegadas

Especificação do produto

Números Valores/Ámbito de aplicação
Substrato Sim
Diâmetro da bolacha 4 ¢/ 6 ¢ / 8- Não.
Espessura da camada epi 4-5μm
Arco de wafer < 30μm, típico
Morfologia da superfície RMS < 0,5 nm em 5 × 5 μm²
Barreira AlX- Não.1-XN, 0
Camada de tampa In-situSiNou GaN (modo D); p-GaN (modo E)
Densidade 2DEG > 9E12/cm2(20 nm Al0.25GaN)
Mobilidade dos elétrons > 1800 cm2/Vs(20 nm Al0.25GaN)

 

Para aplicações de RF

Tipo da bolacha N de Epi do si do diâmetro 200mm AlGaN para o micro diodo emissor de luz 6 polegadas

Tipo da bolacha N de Epi do si do diâmetro 200mm AlGaN para o micro diodo emissor de luz 6 polegadas

Especificação do produto

Números Valores/Ámbito de aplicação
Substrato HR_Si/SiC
Diâmetro da bolacha 4 ¢/6 ¢SiC, 4 ¢/ 6 ¢/ 8HR_Si
Epi- espessura da camada 2 a 3μm
Arco de wafer < 30μm, típico
Morfologia da superfície RMS < 0,5 nm em 5 × 5 μm²
Barreira AlGaNouAlNouInAlN
Camada de tampa In-situSiNou GaN

 

 

Para aplicação de LED

Tipo da bolacha N de Epi do si do diâmetro 200mm AlGaN para o micro diodo emissor de luz 6 polegadas

 

 

Sobre a nossa fábrica OEM

Tipo da bolacha N de Epi do si do diâmetro 200mm AlGaN para o micro diodo emissor de luz 6 polegadas

 

A nossa visão da empresa Factroy
forneceremos substrato de GaN de alta qualidade e tecnologia de aplicação para a indústria com a nossa fábrica.
O material GaN de alta qualidade é o fator de restrição para a aplicação de nitritos III, por exemplo, a longa vida útil
e LDs de alta estabilidade, dispositivos de micro-ondas de alta potência e alta confiabilidade,
e LEDs de alta eficiência e poupança de energia.

-FAQ
P: O que pode fornecer logística e custo?
(1) Aceitamos DHL, Fedex, TNT, UPS, EMS, SF e etc.
(2) Se você tiver seu próprio número expresso, é ótimo.
Se não, podemos ajudá-lo a entregar.

P: Qual é o prazo de entrega?
(1) Para os produtos normalizados, tais como as bolinhas de 0,33 mm de 2 polegadas.
Para o inventário: a entrega é de 5 dias úteis após a encomenda.
Para produtos personalizados: a entrega é de 2 a 4 semanas úteis após a encomenda.

P: Como pagar?
100% T/T, Paypal, West Union, MoneyGram, pagamento seguro e garantia comercial.

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Detalhes do produto
Number modelo :
si Epiwafer de 8inch 6inch AlGaN/GaN HEMT-em-hora
Lugar de origem :
CHINA
MOQ :
1pcs
Termos do pagamento :
T/T
Capacidade da fonte :
50PCS pelo mês
Prazo de entrega :
1-5weeks
Fornecedor de contacto
Tipo da bolacha N de Epi do si do diâmetro 200mm AlGaN para o micro diodo emissor de luz 6 polegadas
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SHANGHAI FAMOUS TRADE CO.,LTD

Verified Supplier
7 Anos
shanghai, shanghai
Desde 2013
Tipo de empresa :
Manufacturer, Agent, Importer, Exporter, Trading Company
Produtos principais :
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Total Anual :
1000000-1500000
Nível de certificação :
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