AlN em wafers de modelo de diamante AlN filmes epitaxiais em substrato de diamante AlN em safira /AlN-on-SiC/ AlN-ON silício

Bem-vindo ao Conheça o Modelo AlN no Diamond~~

Vantagens do AlN
• O gap de banda direto, largura de gap de banda de 6,2 eV, é um importante material ultravioleta profundo e ultravioleta luminescente
• Alta resistência do campo elétrico de ruptura, alta condutividade térmica, alto isolamento, baixa constante dielétrica, baixo coeficiente de expansão térmica, bom desempenho mecânico, resistência à corrosão, comumente usado em alta temperatura e alta frequência
dispositivo de alta potência
• Muito bom desempenho piezoelétrico (especialmente ao longo do eixo C), que é um dos melhores materiais para preparar vários sensores, drivers e filtros
• Possui constante de rede e coeficiente de expansão térmica muito próximos ao cristal de GaN e é o material de substrato preferido para crescimento heteroepitaxial de dispositivos optoeletrônicos baseados em GaN.

Três principais produtos AlN

1. AlN-ON-Silicon
Filmes finos de nitreto de alumínio (AlN) de alta qualidade foram preparados com sucesso em substrato de silício por deposição de compósito.A largura de meio pico da curva de balanço XRD (0002) é inferior a 0,9 ° e a rugosidade da superfície da superfície de crescimento é Ra<
1,5 nm (espessura de nitreto de alumínio 200 nm), o filme de nitreto de alumínio de alta qualidade ajuda a realizar a preparação de nitreto de gálio (GaN) em tamanho grande, alta qualidade e baixo custo.

 AlN-On-Sapphire baseado em safira

AlN de alta qualidade em safira (nitreto de alumínio à base de safira) preparado por deposição de compósito, largura de meio pico de XRD (0002) curva de oscilação <0,05 °, rugosidade da superfície de crescimento
Ra <1,2 nm (espessura de nitreto de alumínio é de 200 nm), que não apenas realiza o controle eficaz da qualidade do produto, melhora muito a qualidade do produto, garante a estabilidade do produto, mas também reduz consideravelmente
O custo do produto e o ciclo de produção são reduzidos.A verificação do cliente mostra que o AlN de alta qualidade em safira de CSMC pode melhorar muito o rendimento e a estabilidade dos produtos LED UVC
Qualitativo, ajudando a melhorar o desempenho do produto.
3.AlN-On-Diamond à base de diamante
A CVMC é a primeira do mundo e desenvolve de forma inovadora nitreto de alumínio à base de diamante.A largura de meio pico da curva de oscilação XRD (0002) é inferior a 3 ° e o diamante tem condutividade térmica ultra-alta (a condutividade térmica à temperatura ambiente pode
Até 2000W/m K) A rugosidade da superfície de crescimento Ra ＜ 2nm (a espessura do nitreto de alumínio é 200nm), ajudando a nova aplicação de nitreto de alumínio.

Vantagens da aplicação

• Substrato LED UVC
Impulsionado pelo custo do processo e os requisitos de alto rendimento e alta uniformidade, o substrato do chip de LED UVC baseado em AlGaN é de grande espessura, tamanho grande e inclinação adequada. Substratos de safira chanfrados são uma ótima escolha.O substrato mais espesso pode efetivamente aliviar a distorção anormal de bolachas epitaxiais causada pela concentração de estresse durante a epitaxia
A uniformidade das bolachas epitaxiais pode ser melhorada;Substratos maiores podem reduzir bastante o efeito de borda e reduzir rapidamente o custo geral do chip;O ângulo de chanfro adequado pode
Para melhorar a morfologia da superfície da camada epitaxial, ou combinar com a tecnologia epitaxial para formar o efeito de localização do portador rico em Ga na região ativa do poço quântico, de modo a melhorar a eficiência luminosa.
• Camada de transição
O uso de AlN como camada tampão pode melhorar significativamente a qualidade epitaxial, as propriedades elétricas e ópticas dos filmes de GaN.A incompatibilidade de rede entre o substrato GaN e AIN é de 2,4%, a incompatibilidade térmica é quase zero, o que pode não apenas evitar o estresse térmico causado pelo crescimento de alta temperatura, mas também melhorar muito a eficiência da produção.
• Outras aplicações
Além disso, filmes finos de AlN podem ser usados ​​para filmes finos piezoelétricos de dispositivos de ondas acústicas de superfície (SAW), filmes finos piezoelétricos de dispositivos de ondas acústicas a granel (FBAR), isolamento de camadas enterradas de materiais SOI e resfriamento monocromático
Materiais catódicos (usados ​​para visores de emissão de campo e microtubos de vácuo) e materiais piezoelétricos, dispositivos de alta condutividade térmica, dispositivos acústico-ópticos, ultravioleta e detectores de raios-X.
Emissão de eletrodo coletor vazio, material dielétrico do dispositivo MIS, camada protetora do meio de gravação magneto-óptico.

Processamento de safira

Corpo de safira→Corte→Chanframento de borda→Lapagem→Recozimento→Polimento→Inspeção→Limpeza e embalagem

Detalhes do produto

Detalhe da especificação:

FAQ & CONTATO

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