Especificações
Número de modelo :
4inch SEMI
Lugar de origem :
China
MOQ :
5pcs
Termos do pagamento :
T / União, T Ocidental, MoneyGram
Capacidade da fonte :
500pcs por mês
Tempo de entrega :
2-4 semanas
Detalhes de empacotamento :
a única bolacha embalou em 6" caixa plástica sob o N2
Material :
Único cristal do GaAs
Tamanho :
4inch
Espessura :
625um ou customzied
Do tipo :
Do plano
Orientação :
(100) 2°off
Superfície :
DSP
método do crescimento :
vFG
Descrição

tipo bolacha de 2inch/3inch /4inch /6inch S-C-N do GaAs do arsenieto de gálio de /Si-doped da semi-isolação

Descrição do produto

Nosso 2' ‘a 6" ‘cristal decondução & deisolamento & bolacha do GaAs são usados descontroladamente na aplicação da aplicação do circuito integrado do semicondutor & da iluminação geral do diodo emissor de luz.

Característica e aplicação da bolacha do GaAs
CaracterísticaCampo da aplicação
Mobilidade de elétron altaDiodos luminescentes
Alta frequênciaDiodos láser
Eficiência de conversão altaDispositivos fotovoltaicos
Consumo da baixa potênciaTransistor de mobilidade de elétron alto
Diferença de faixa diretaTransistor bipolar da heterojunção

Bolacha Undoped do arsenieto de gálio de 2INCH 3INCH 4Inch que isola semi a carcaça do GaAs para o diodo emissor de luz

Bolacha Undoped do arsenieto de gálio de 2INCH 3INCH 4Inch que isola semi a carcaça do GaAs para o diodo emissor de luz
DESCRIÇÃO DO PRODUTO
 

Especificações de semi-conduzir a bolacha do GaAs

     

 Método do crescimento

VGF

Entorpecente

p-tipo: Zn

n-tipo: Si

Forma da bolacha

Círculo (diâmetro: 2", 3", 4", 6")

Orientação de superfície *

(100) ±0.5°

* outras orientações talvez disponíveis mediante solicitação

Entorpecente

Si (n-tipo)

Zn (p-tipo)

Concentração de portador (cm-3)

(0.8-4) × 1018

(0.5-5) × 1019

Mobilidade (cm2/V.S.)

× 103 (de 1-2.5)

50-120

Densidade do passo gravura em àgua forte (cm2)

100-5000

3,000-5,000

Diâmetro da bolacha (milímetros)

50.8±0.3

76.2±0.3

100±0.3

Espessura (µm)

350±25

625±25

625±25

TTV [P/P] (µm)

≤ 4

≤ 4

≤ 4

TTV [P/E] (µm)

≤ 10

≤ 10

≤ 10

URDIDURA (µm)

≤ 10

≤ 10

≤ 10

DE (milímetros)

17±1

22±1

32.5±1

DE/SE (milímetros)

7±1

12±1

18±1

Polish*

E/E,
P/E,
P/P

E/E,
P/E,
P/P

E/E,
P/E,
P/P

Especificações de semi-isolar a bolacha do GaAs

Método do crescimento

VGF

Entorpecente

Tipo do SI: Carbono

Forma da bolacha

Círculo (diâmetro: 2", 3", 4", 6")

Orientação de superfície *

(100) ±0.5°

* outras orientações talvez disponíveis mediante solicitação

Resistividade (Ω.cm)

× 107 do ≥ 1

× 108 do ≥ 1

Mobilidade (cm2/V.S)

≥ 5.000

≥ 4.000

Densidade do passo gravura em àgua forte (cm2)

1,500-5,000

1,500-5,000

Diâmetro da bolacha (milímetros)

50.8±0.3

76.2±0.3

100±0.3

150±0.3

Espessura (µm)

350±25

625±25

625±25

675±25

TTV [P/P] (µm)

≤ 4

≤ 4

≤ 4

≤ 4

TTV [P/E] (µm)

≤ 10

≤ 10

≤ 10

≤ 10

URDIDURA (µm)

≤ 10

≤ 10

≤ 10

≤ 15

DE (milímetros)

17±1

22±1

32.5±1

ENTALHE

DE/SE (milímetros)

7±1

12±1

18±1

N/A

Polish*

E/E,
P/E,
P/P

E/E,
P/E,
P/P

E/E,
P/E,
P/P

E/E,
P/E,
P/P

 
Bolacha Undoped do arsenieto de gálio de 2INCH 3INCH 4Inch que isola semi a carcaça do GaAs para o diodo emissor de luz
Bolacha Undoped do arsenieto de gálio de 2INCH 3INCH 4Inch que isola semi a carcaça do GaAs para o diodo emissor de luz
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Depende da quantidade e das técnicas
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Nós podemos fornecer o relatório de detalhe para nossos produtos.
 
Empacotamento – Logistcs
nós referimo-nos a cada um detalhes do pacote, limpeza, antiestática, tratamento de choque. De acordo com a quantidade e a forma do produto,
nós tomaremos um processo de empacotamento diferente!
 

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Bolacha Undoped do arsenieto de gálio de 2INCH 3INCH 4Inch que isola semi a carcaça do GaAs para o diodo emissor de luz

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Lugar de origem :
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5pcs
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Capacidade da fonte :
500pcs por mês
Tempo de entrega :
2-4 semanas
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