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Bolacha lubrificada si do GaAs do arsenieto de gálio da carcaça do semicondutor para Microwave/HEMT/PHEMT
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Especificações
Número de modelo :
6inch S-C-N
Lugar de origem :
China
MOQ :
5pcs
Termos do pagamento :
T / União, T Ocidental, MoneyGram
Capacidade da fonte :
500pcs por mês
Tempo de entrega :
2-4 semanas
Detalhes de empacotamento :
a única bolacha embalou em 6" caixa plástica sob o N2
Materiais :
Único cristal do GaAs
Tamanho :
6inch
Espessura :
650um ou customzied
Do tipo :
entalhe ou do plano
Orientação :
(100) 2°off
superfície :
DSP
Método do crescimento :
VFG
Descrição

o tipo de 2inch/3inch /4inch /6inch S-C-N Si-lubrificou a bolacha do GaAs do arsenieto de gálio 

Descrição do produto

Bolachas do arsenieto de gálio (GaAs)

PWAM desenvolve e fabrica o cristal e a bolacha do arsenieto do carcaça-gálio do semicondutor composto. Nós usamos tecnologia avançada do crescimento de cristal, o gelo vertical do inclinação (VGF) e da bolacha do GaAs tecnologia de processamento, estabelecemos uma linha de produção do crescimento de cristal, corte, moendo ao processamento de lustro e construímos um quarto desinfetado de 100 classes para a limpeza e o empacotamento da bolacha. Nossa bolacha do GaAs inclui o lingote/bolachas de 2~6 polegadas para o diodo emissor de luz, o LD e as aplicações da microeletrônica. Nós somos dedicados sempre para melhorar atualmente a qualidade de substates e para desenvolver grandes carcaças do tamanho.

Bolachas do arsenieto de gálio (GaAs) para aplicações do diodo emissor de luz

  • 1. Usado principalmente na eletrônica, ligas de baixa temperatura, arsenieto de gálio.
  • 2. O composto químico preliminar do gálio na eletrônica, é usado em circuitos da micro-ondas, em circuitos de alta velocidade do interruptor, e nos circuitos infravermelhos.
  • 3. O nitreto do gálio e o nitreto do gálio do índio, porque os usos do semicondutor, produzem diodos luminescentes azuis e violetas (LEDs) e lasers do diodo.
Bolacha lubrificada si do GaAs do arsenieto de gálio da carcaça do semicondutor para Microwave/HEMT/PHEMT
DESCRIÇÃO DO PRODUTO
ESPECIFICAÇÃO --N-tipo bolacha do Si-entorpecente de 6 polegadas do arsenieto de gálio de SSP/DSP LED/LD
Método do crescimento
VGF
Orientação
<100>
Diâmetro
150,0 +/- 0,3 milímetros
Espessura
650um +/- 25um
Polonês
Escolha (SSP) lustrado tomado partido
Aspereza de superfície
Lustrado
TTV/Bow
<10um>
Entorpecente
Si
Tipo da condutibilidade
N-tipo
Resistividade (no RT)
(1.2~9.9) *10-3 ohm cm
Densidade do poço gravura em àgua forte (EPD)
Diodo emissor de luz <5000>2; LD <500>
Mobilidade
Cm2 do diodo emissor de luz >1000/v.s; Cm2 do LD >1500/v.s
Concentração de portador
Diodo emissor de luz > (0.4-4) *1018 /cm 3; LD > (0.4-2.5) *1018 /cm3

Especificações de semi-conduzir a bolacha do GaAs

     

 Método do crescimento

VGF

Entorpecente

p-tipo: Zn

n-tipo: Si

Forma da bolacha

Redondo (diâmetro: 2", 3", 4", 6")

Orientação de superfície *

(100) ±0.5°

* outras orientações talvez disponíveis mediante solicitação

Entorpecente

Si (n-tipo)

Zn (p-tipo)

Concentração de portador (cm-3)

(0.8-4) × 1018

(0.5-5) × 1019

Mobilidade (cm2/V.S.)

× 103 (de 1-2.5)

50-120

Densidade do passo gravura em àgua forte (cm2)

100-5000

3,000-5,000

Diâmetro da bolacha (milímetro)

50.8±0.3

76.2±0.3

100±0.3

Espessura (µm)

350±25

625±25

625±25

TTV [P/P] (µm)

≤ 4

≤ 4

≤ 4

TTV [P/E] (µm)

≤ 10

≤ 10

≤ 10

URDIDURA (µm)

≤ 10

≤ 10

≤ 10

DE (milímetro)

17±1

22±1

32.5±1

DE/SE (milímetro)

7±1

12±1

18±1

Polish*

E/E,

P/E,

P/P

E/E,

P/E,

P/P

E/E,

P/E,

P/P

Especificações de semi-isolar a bolacha do GaAs

Método do crescimento

VGF

Entorpecente

Tipo do SI: Carbono

Forma da bolacha

Redondo (diâmetro: 2", 3", 4", 6")

Orientação de superfície *

(100) ±0.5°

* outras orientações talvez disponíveis mediante solicitação

Resistividade (Ω.cm)

× 107 do ≥ 1

× 108 do ≥ 1

Mobilidade (cm2/V.S)

≥ 5.000

≥ 4.000

Densidade do passo gravura em àgua forte (cm2)

1,500-5,000

1,500-5,000

Diâmetro da bolacha (milímetro)

50.8±0.3

76.2±0.3

100±0.3

150±0.3

Espessura (µm)

350±25

625±25

625±25

675±25

TTV [P/P] (µm)

≤ 4

≤ 4

≤ 4

≤ 4

TTV [P/E] (µm)

≤ 10

≤ 10

≤ 10

≤ 10

URDIDURA (µm)

≤ 10

≤ 10

≤ 10

≤ 15

DE (milímetro)

17±1

22±1

32.5±1

ENTALHE

DE/SE (milímetro)

7±1

12±1

18±1

N/A

Polish*

E/E,

P/E,

P/P

E/E,

P/E,

P/P

E/E,

P/E,

P/P

E/E,

P/E,

P/P

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FAQ –
Q: Que você pode fornecer a logística e o custo?
(1) nós aceitamos DHL, Fedex, TNT, UPS, EMS, SF e etc.
(2) se você tem seu próprio número expresso, é grande.
Se não, nós poderíamos ajudar-lhe a entregar. Freight=USD25.0 (o primeiro peso) + USD12.0/kg

Q: Que é o prazo de entrega?
(1) para os produtos padrão tais como a lente da bola, a lente de powell e a lente do colimador:
Para o inventário: a entrega é 5 dias úteis após a ordem.
Para produtos personalizados: a entrega é as 2 ou 3 semanas de trabalho após a ordem.
(2) para os produtos do fora-padrão, a entrega é as 2 ou 6 semanas de trabalho depois que você coloca a ordem.

Q: Como pagar?
T/T, Paypal, união ocidental, MoneyGram, segurança segura do pagamento e do comércio em Alibaba e etc….

Q: Que é o MOQ?
(1) para o inventário, o MOQ é 5pcs.
(2) para produtos personalizados, o MOQ é 5pcs-20pcs.
Depende da quantidade e das técnicas

Q: Você tem o relatório de inspeção para o material?
Nós podemos fornecer o relatório de detalhe para nossos produtos.

 

Empacotamento – Logistcs
nós referimo-nos a cada um detalhes do pacote, limpeza, antiestática, tratamento de choque. De acordo com a quantidade e a forma do produto,

nós tomaremos um processo de empacotamento diferente!

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Lugar de origem :
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MOQ :
5pcs
Termos do pagamento :
T / União, T Ocidental, MoneyGram
Capacidade da fonte :
500pcs por mês
Tempo de entrega :
2-4 semanas
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Verified Supplier
7 Anos
shanghai, shanghai
Desde 2013
Tipo de empresa :
Manufacturer, Agent, Importer, Exporter, Trading Company
Produtos principais :
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Total Anual :
1000000-1500000
Nível de certificação :
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