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2 Sapphire Based GaN Templates Semiconductor Substrate GaN-Em-SIC
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2 Sapphire Based GaN Templates Semiconductor Substrate GaN-Em-SIC
Especificações
Number modelo :
GaN-safira 4inch
Lugar de origem :
China
MOQ :
2pcs
Termos do pagamento :
T/T, Western Union, paypal
Capacidade da fonte :
50pcs/month
Prazo de entrega :
em 20days
Detalhes de empacotamento :
único recipiente da bolacha no quarto desinfetado
Carcaça :
GaN-Em-safira
Camada :
Molde de GaN
Espessura da camada :
1-5um
tipo da condutibilidade :
N/P
Orientação :
0001
Aplicação :
poder superior/dispositivos eletrónicos de alta frequência
aplicação 2 :
dispositivos de 5G saw/BAW
espessura do silicone :
525um/625um/725um
Descrição

2inch 4inch 4" 2" safira baseou o filme de GaN dos moldes de GaN nas janelas de GaN das carcaças de GaN das bolachas de GaN da GaN-Em-safira da carcaça da safira

 

Propriedades de GaN

1) Na temperatura ambiente, GaN é insolúvel na água, no ácido e no alcaloide.

2)Dissolvido em uma solução alcalina quente em uma taxa muito lenta.

3) O NaOH, H2SO4 e H3PO4 podem rapidamente corroer o de má qualidade de GaN, podem ser usados para estes detecção de má qualidade do defeito de cristal de GaN.

4) GaN no HCL ou no hidrogênio, na alta temperatura apresenta características instáveis.

5) GaN é o mais estável sob o nitrogênio.

Propriedades elétricas de GaN

1) As propriedades elétricas de GaN são a maioria de fatoras importantes que afetam o dispositivo.

2) O GaN sem a lubrificação era n em todos os casos, e a concentração do elétron da melhor amostra era sobre 4* (10^16) /c㎡.

3) Geralmente, as amostras preparadas de P são compensadas altamente.

Propriedades óticas de GaN

1) O material largo do semicondutor composto de diferença de faixa com largura de banda alta (2.3~6.2eV), pode cobrir o verde amarelo vermelho, azul, violeta e o espectro ultravioleta, é até agora que todos os outros materiais do semicondutor são incapazes de conseguir.

2) Usado principalmente no dispositivo luminescente azul e violeta.

Propriedades de GaN Material

1) A propriedade de alta frequência, chega em 300G hertz. (O si é 10G & o GaAs é 80G)

2) Propriedade de alta temperatura, trabalho em 300℃, muito apropriado normais para ambiente aeroespacial, militar e outro de alta temperatura.

3) A tração do elétron tem a velocidade alta da saturação, a baixa constante dielétrica e a boa condutibilidade térmica.

4) A resistência do ácido e do alcaloide, resistência de corrosão, pode ser usada no ambiente áspero.

5) Características de alta tensão, resistência de impacto, confiança alta.

6) O grande poder, o equipamento de comunicação está muito ansioso.

 

Uso principal de GaN

1) diodos luminescentes, diodo emissor de luz

2) transistor de efeito de campo, FET

3) diodos láser, LD

 
Especificação
diodo emissor de luz Epi do azul/verde de 2 polegadas. Na safira
 
 
 
Carcaça
Tipo
Safira lisa
Polonês
Único lado lustrado (SSP)/lado dobro lustrado (DSP)
Dimensão
± 100 0,2 milímetros
Orientação
Plano de C (0001) fora do ângulo para o ± 0.1° da M-linha central 0,2
Espessura
650 μm do ± 25
 
 
 
 
 
 
 
Epilayer
Estrutura (ultra-baixa corrente
projeto)
uGaN de 0.2μm pGaN/0.5μm MQWs/2.5μm nGaN/2.0μm
Espessura/STD
5,5 ± 0.5μm/ <3>
Aspereza (Ra)
<0>
Comprimento de onda/STD
Diodo emissor de luz azul
Diodo emissor de luz verde
465 ± 10 nanômetro < 1="">
525 ± 10 nanômetro <2>
Comprimento de onda FWHMs
< 20="" nm="">
< 35="" nm="">
Densidade de deslocação
< 5="">
Partículas (>20μm)
< 4="" pcs="">
Curva
< 50="">
Chip Performance (baseado em sua tecnologia da microplaqueta, aqui para
referência, tamanho<100>
Parâmetro
Pico EQE
ΜA de Vfin@1
ΜA de Vr@-10
Ir@-15V
ESDHM@2KV
Diodo emissor de luz azul
> 30%
2.3-2.5V
> 40V
< 0="">
> 95%
Diodo emissor de luz verde
> 20%
2.2-2.4V
> 25V
< 0="">
> 95%
Área útil
> 90% (borda e exclusão macro dos defeitos)
Pacote
Empacotado em uma sala de limpeza em um único recipiente da bolacha

 

 

 

2

 

Estrutura de cristal

Wurtzite
Constante da estrutura (Å) a=3.112, c=4.982
Tipo da faixa de condução Bandgap direto
Densidade (g/cm3) 3,23
Microhardness de superfície (teste de Knoop) 800
Ponto de derretimento (℃) 2750 (barra 10-100 no N2)
Condutibilidade térmica (W/m·K) 320
Energia da diferença de faixa (eV) 6,28
Mobilidade de elétron (V·s/cm2) 1100
Campo elétrico da divisão (MV/cm) 11,7

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2pcs
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Capacidade da fonte :
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Prazo de entrega :
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SHANGHAI FAMOUS TRADE CO.,LTD

Verified Supplier
7 Anos
shanghai, shanghai
Desde 2013
Tipo de empresa :
Manufacturer, Agent, Importer, Exporter, Trading Company
Produtos principais :
carcaça da safira, Gem Stone sintético, Safira Windows ótico
Total Anual :
1000000-1500000
Nível de certificação :
Verified Supplier
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