2INCH dia50.8mm GA lubrificou o N-tipo bolachas da carcaça 4inch do Ge do Ge de 500um
Bolacha do Ge para a aplicação microeletrónica
O tipo de N, Sb lubrificou a bolacha do Ge
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Tipo de N, bolacha undoped do Ge
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O tipo de P, GA lubrificou a bolacha do Ge
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Tamanho disponível: 2" - 6"
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Orientação disponível: (100), (111), ou especs. feitas sob encomenda.
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Categoria disponível: Categoria do IR, categoria eletrônica e categoria da pilha
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Resistividade:
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N - tipo: 0.007-30 ohm-cm
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P - tipo: 0.001-30 ohm-cm | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Undoped: >=30 ohm-cm | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Superfície: o como-corte, único lado lustrado, lado dobro lustrou
Bolacha do Ge para a categoria ótica:
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janelas único Crystal Germanium Ge Wafer do Ge de dia25.4mm para o dispositivo de semicondutor
ZMKJ é um fornecedor mundial da única lente de cristal do germânio e único lingote de cristal do Ge, nós temos uma vantagem forte em fornecer a única bolacha de cristal à indústria da microeletrônica e da ótica eletrónica na escala do diâmetro de 2 polegadas a 6inch.
A bolacha do Ge é uma elementar e o material popular do semicondutor, devido a suas propriedades crystallographic excelentes e às propriedades elétricas originais, bolacha do Ge é usado widly no sensor, na célula solar e nas aplicações infravermelhas do sistema ótico.
Nós podemos fornecer baixas bolachas prontas do Ge da deslocação e do epi para cumprir sua exigência original. A bolacha do Ge é produzida conforme o semicondutor, com um sistema de controlo da boa qualidade, ZMKJ é dedicada a fornecer produtos limpos e de alta qualidade da bolacha do Ge.
nós podemos categoria da eletrônica das ofertas e a bolacha do Ge da categoria do IR, contacta-nos por favor para mais informações sobre o produto do Ge.
Na escala do μm 2-12, o germânio é o material o mais de uso geral para a produção de lentes esféricas e de janelas para o infravermelho da eficiência elevada no sistema da imagem latente. O germânio tem um R.I. alto (aproximadamente faixa de 4,0 a de 2-14μm), geralmente não precisa de ser alterado devido a sua baixa aberração cromática em sistemas da imagem latente da baixa potência.
Condutibilidade | Entorpecente | Resistividade (ohm-cm) |
Tamanho da bolacha |
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NA | Undoped | >= 30 | Até 4 polegadas |
Tipo de N | Sb | 0,001 ~ 30 | Até 4 polegadas |
Tipo de P | GA | 0,001 ~ 30 | Até 4 polegadas |