MachineU > Produtos da China > Minerais e Metalurgia > Metal não ferroso > Lingotes > Lingotes de Silício
Wafer SOI Wafer de silício em isolador Wafer de 4 polegadas 5 polegadas 6 polegadas 8 polegadas 100 111 P Tipo N Tipo
Wafer SOI Wafer de silício em isolador Wafer de 4 polegadas 5 polegadas 6 polegadas 8 polegadas 100 111 P Tipo N Tipo
Wafer SOI Wafer de silício em isolador Wafer de 4 polegadas 5 polegadas 6 polegadas 8 polegadas 100 111 P Tipo N Tipo
Wafer SOI Wafer de silício em isolador Wafer de 4 polegadas 5 polegadas 6 polegadas 8 polegadas 100 111 P Tipo N Tipo
Wafer SOI Wafer de silício em isolador Wafer de 4 polegadas 5 polegadas 6 polegadas 8 polegadas 100 111 P Tipo N Tipo
Wafer SOI Wafer de silício em isolador Wafer de 4 polegadas 5 polegadas 6 polegadas 8 polegadas 100 111 P Tipo N Tipo
Wafer SOI Wafer de silício em isolador Wafer de 4 polegadas 5 polegadas 6 polegadas 8 polegadas 100 111 P Tipo N Tipo
Wafer SOI Wafer de silício em isolador Wafer de 4 polegadas 5 polegadas 6 polegadas 8 polegadas 100 111 P Tipo N Tipo
Especificações
Caixa de manuseio :
Contacte-nos
Substrato :
Garrafas de soja
TTV :
< 10um
Espessura da camada GaN :
1 a 10 μm
polonês :
Polonês duplo/unilateral
orientação :
< 100>
Descrição

Wafer SOI Wafer de silício no isolante Wafer 4 polegadas 5 polegadas 6 polegadas 8 polegadas (100) (111) P Tipo N Tipo

Descrição do SOI Wafer:

Wafer SOI refere-se a uma fina camada de cristal único de silício revestida sobre um isolante feito de dióxido de silício ou vidro (daí o nome "silício no revestimento de isolamento",frequentemente referido como SOI em abreviação)Os transistores construídos numa fina camada de SOI podem operar mais rapidamente e consumir menos energia do que os construídos num simples chip de silício.A tecnologia do silício sobre o isolante (SOI) é a fabricação de dispositivos de semicondutores de silício num substrato de silício em camadas, para reduzir a capacitância parasitária dentro do dispositivo, melhorando assim o desempenho.Os dispositivos baseados em SOI diferem dos dispositivos convencionais construídos em silício, pois a junção de silício está acima de um isolador elétrico, tipicamente dióxido de silício ou safira (estes tipos de dispositivos são chamados de silício sobre safira, ou SOS).com safiros utilizados para aplicações de radiofrequência de alto desempenho (RF) e sensíveis à radiaçãoA camada isolante e a camada de silício superior também variam muito dependendo da aplicação.

Características do SOI Wafer:

  • Capacidade parasitária mais baixa devido ao isolamento do silício a granel, o que melhora o consumo de energia em desempenho combinado
  • Resistência ao bloqueio devido ao isolamento completo das estruturas de poços n e p
  • Maior desempenho em VDDs equivalentes. Pode trabalhar em VDDs baixos [1]
  • Redução da dependência da temperatura devido à ausência de doping
  • Melhor rendimento devido à alta densidade, melhor utilização da wafer
  • Redução dos problemas de antena
  • Não são necessárias torneiras de corpo ou poço.
  • Correntes de vazamento mais baixas devido ao isolamento, o que aumenta a eficiência energética
  • Inerentemente resistente à radiação (resistente a erros macios), reduzindo a necessidade de redundância

Estrutura do produto da wafer SOI:

Diâmetro 4" 5" 6" 8"
Camada de dispositivos Suplementos Boro, fosfato, arsénio, antimônio, não dopado
Orientação Capacidade de produção
Tipo SIMOX, BESOI, Simbond, Smart-cut
Resistividade 0.001-20000 Ohm-cm
Espessura (mm) > 1.5
TTV < 2um
Capa de caixa Espessura (mm) 0.2-4.0um
Uniformidade < 5%
Substrato Orientação Capacidade de produção
Tipo/Dopante Tipo P/Boro, Tipo N/Phos, Tipo N/As, Tipo N/Sb
Espessura (mm) 200 a 1100
Resistividade 0.001-20000 Ohm-cm
Superfície finalizada P/P, P/E
Partículas < 10@.0.3um

Estrutura da bolacha SOI:

Wafer SOI Wafer de silício em isolador Wafer de 4 polegadas 5 polegadas 6 polegadas 8 polegadas 100 111 P Tipo N Tipo

Aplicações da wafer SOI:

As nossas soluções SoL personalizadas são utilizadas nos seguintes domínios:

  • Sensores de pressão avançados
  • Acelerômetros
  • Máquinas e aparelhos de visualização
  • Sensores de microfluídica/fluxo
  • MEMS de RF
  • MEMS/MEMS ópticos
  • Optoeletrónica
  • Contadores inteligentes
  • IC analógicas avançadas
  • Outros aparelhos de som
  • Relógios de pulso de luxo

Mercados finais:

  • Serviços de telecomunicações
  • Médico
  • Automóveis
  • Consumidor
  • Instrumentação

Imagem de aplicação do SOI Wafer:

Wafer SOI Wafer de silício em isolador Wafer de 4 polegadas 5 polegadas 6 polegadas 8 polegadas 100 111 P Tipo N Tipo

Embalagem e transporte:

Wafer SOI Wafer de silício em isolador Wafer de 4 polegadas 5 polegadas 6 polegadas 8 polegadas 100 111 P Tipo N Tipo

Perguntas frequentes:

1.P: Qual é a constante dielétrica do silício em isoladores?
R: A constante dielétrica para os materiais de silício comumente utilizados é: dióxido de silício (SiO2) - constante dielétrica = 3.9Nitreto de silício (SiNx) - constante dielétrica = 7.5. Silício puro (Si) - constante dielétrica = 11.7

2.P: Quais são as vantagens das wafers SOI?
R: As placas SOI têm maior resistência à radiação, tornando-as menos propensas a erros macios.Outras vantagens dos wafers SOI incluem uma menor dependência da temperatura e menos problemas de antena.

Recomendação do produto:

1. GaN-on-Si ((111) N/P T tipo Substrato Epitaxy 4 polegadas 6 polegadas 8 polegadas Para LED ou dispositivo de energia

 

Wafer SOI Wafer de silício em isolador Wafer de 4 polegadas 5 polegadas 6 polegadas 8 polegadas 100 111 P Tipo N Tipo

2Wafer composto de SiC-on-Si do tipo N

 

Wafer SOI Wafer de silício em isolador Wafer de 4 polegadas 5 polegadas 6 polegadas 8 polegadas 100 111 P Tipo N Tipo

Envie sua mensagem para este fornecedor
Envie agora

Wafer SOI Wafer de silício em isolador Wafer de 4 polegadas 5 polegadas 6 polegadas 8 polegadas 100 111 P Tipo N Tipo

Pergunte o preço mais recente
Detalhes do produto
Caixa de manuseio :
Contacte-nos
Substrato :
Garrafas de soja
TTV :
< 10um
Espessura da camada GaN :
1 a 10 μm
polonês :
Polonês duplo/unilateral
orientação :
< 100>
Fornecedor de contacto
Wafer SOI Wafer de silício em isolador Wafer de 4 polegadas 5 polegadas 6 polegadas 8 polegadas 100 111 P Tipo N Tipo
Wafer SOI Wafer de silício em isolador Wafer de 4 polegadas 5 polegadas 6 polegadas 8 polegadas 100 111 P Tipo N Tipo
Wafer SOI Wafer de silício em isolador Wafer de 4 polegadas 5 polegadas 6 polegadas 8 polegadas 100 111 P Tipo N Tipo
Wafer SOI Wafer de silício em isolador Wafer de 4 polegadas 5 polegadas 6 polegadas 8 polegadas 100 111 P Tipo N Tipo

SHANGHAI FAMOUS TRADE CO.,LTD

Verified Supplier
7 Anos
shanghai, shanghai
Desde 2013
Tipo de empresa :
Manufacturer, Agent, Importer, Exporter, Trading Company
Produtos principais :
carcaça da safira, Gem Stone sintético, Safira Windows ótico
Total Anual :
1000000-1500000
Nível de certificação :
Verified Supplier
Descubra produtos similares
Veja mais

Encontre produtos semelhantes por categoria:

Página inicial do fornecedor Produtos Carcaça do semicondutor
MachineU Produtos da China Minerais e Metalurgia Metal não ferroso Lingotes Lingotes de Silício
Fornecedor de contacto
Exigência de submissão