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do Mosfet 4N-Channel da disposição MSCSM170HM23CT3AG da ponte módulo de poder completo 602W do MOSFET sic
ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd.

do Mosfet 4N-Channel da disposição MSCSM170HM23CT3AG da ponte módulo de poder completo 602W do MOSFET sic
Prazo de entrega：5-8 dias do trabalho
MOQ：10
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Ultra baixa resistência SiC Mosfet Alta eficiência para sistemas de energia renovável
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Guangdong Lingxun Microelectronics Co., Ltd

Ultra baixa resistência SiC Mosfet Alta eficiência para sistemas de energia renovável
Local de origem：China
Quantidade mínima de encomenda：De acordo com o seu pedido
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750319331 pacote auxiliar do transformador EP7 da movimentação da porta para o SIC-MOSFET/IGBT
SHAREWAY TECHNOLOGY CO., LTD.

750319331 pacote auxiliar do transformador EP7 da movimentação da porta para o SIC-MOSFET/IGBT
Capacidade da fonte：5000K.PCS/Month
MOQ：100pcs
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Metal Prático de Alta Tensão Sic Mosfet, Semicondutor de Carbide de Silício Tipo N
Reasunos Semiconductor Technology Co., Ltd.

Metal Prático de Alta Tensão Sic Mosfet, Semicondutor de Carbide de Silício Tipo N
Local de origem：Guangdong, NC
Quantidade mínima de encomenda：600
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Tamanho personalizado espessura 0,32 mm Substratos de nitrato de silício para IGBT e MOSFET SiC
Zhuhai Cersol Technology Co, Ltd

Tamanho personalizado espessura 0,32 mm Substratos de nitrato de silício para IGBT e MOSFET SiC
Prazo de entrega：GERALMENTE 1 MÊS
Lugar de origem：China
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6H-N Semi-isolação SiC Substarte / Wafer Para MOSFETs、JFETs BJTs Alta Resistividade Larga Bandgap
SHANGHAI FAMOUS TRADE CO.,LTD

6H-N Semi-isolação SiC Substarte / Wafer Para MOSFETs、JFETs BJTs Alta Resistividade Larga Bandgap
Número do modelo：4H Substrato/wafer de SiC semi-isolante
Local de origem：China
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Carbono de silício negro como refratário na produção de cerâmica
vídeo
Zhenan Metallurgy Co., Ltd

Carbono de silício negro como refratário na produção de cerâmica
Prazo de entrega：7-10 dias úteis após recebimento do pagamento
Número do modelo：Carbono de silício
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Disposições dos MOSFETs dos FETs dos transistor do transistor de efeito de campo CAS325M12HM2
KZ TECHNOLOGY (HONGKONG) LIMITED

Disposições dos MOSFETs dos FETs dos transistor do transistor de efeito de campo CAS325M12HM2
Capacidade da fonte：100000
MOQ：Negociável
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Placa de lógica solar da placa de circuito leve 6870C-0532A de 43D3F C430F16-E3-L PCBA Gerber VER V0.6
Shenzhen Res Electronics Limited

Placa de lógica solar da placa de circuito leve 6870C-0532A de 43D3F C430F16-E3-L PCBA Gerber VER V0.6
Model Number：6870C-0532A
Place of Origin：original
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Montagem de superfície do canal 1200 V 4.7A 65W do módulo N do transistor de IMBG120R350M1HXTMA1 IGBT
Shenzhen Siyue Electronics Co., Ltd.

Montagem de superfície do canal 1200 V 4.7A 65W do módulo N do transistor de IMBG120R350M1HXTMA1 IGBT
Capacidade da fonte：1000000 unidades
MOQ：50pcs
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