IRF6715MTRPBF avançou a eletrônica de poder do MOSFET para aplicações de capacidade elevada

Características:

• Baixa em-resistência RDS (sobre): 7.8mΩ (máximo)
• Interruptor rápido
• Baixa carga da porta
• a avalancha 100% testou
• RoHS complacente
• Complacente a JEDEC para aplicações do alvo

Avaliações máximas absolutas:

• Tensão da Dreno-fonte: 100V
• Tensão da Dreno-porta: 100V
• Tensão da Porta-fonte: ±20V
• Drene atual: 24.2A
• Dissipação de poder total: 81.2W
• Variação da temperatura do funcionamento e do armazenamento: -55°C a +150°C

Características elétricas:

• Em-resistência RDS (sobre): 7.8mΩ (máximo)
• Tensão VGS do ponto inicial da porta (th): 3.4V (máximo)
• Escapamento IGSS atual da Porta-fonte: -10mA (máximo)
• Tensão de divisão V da Dreno-fonte (BR) DSS: 100V (minuto)

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