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Eletrônica de poder do MOSFET FCMT299N60 – eficiência elevada e dispositivo seguro do interruptor do poder para aplicações industriais
Eletrônica de poder do MOSFET FCMT299N60 – eficiência elevada e dispositivo seguro do interruptor do poder para aplicações industriais
Especificações
Number modelo :
FCMT299N60
Lugar de origem :
Original
MOQ :
1
Termos do pagamento :
L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Capacidade da fonte :
999999
Prazo de entrega :
1-3 dias
Detalhes de empacotamento :
Padrão
Drene à tensão da fonte (Vdss) :
600 V
Atual - dreno contínuo (identificação) @ 25°C :
12A (Ta)
Tensão da movimentação (Max Rds On, Min Rds On) :
10V
RDS (máximo) @ na identificação, Vgs :
299mOhm @ 6A, 10V
Identificação de Vgs (th) (máximo) @ :
3.5V @ 250µA
Carga da porta (Qg) (máximo) @ Vgs :
51 nC @ 10 V
Descrição
 
Eletrônica de poder do MOSFET FCMT299N60 – eficiência elevada e dispositivo seguro do interruptor do poder para aplicações industriais
 
 
E tipo
N-canal
Tecnologia
MOSFET (óxido de metal)
Drene à tensão da fonte (Vdss)
600 V
Atual - dreno contínuo (identificação) @ 25°C
12A (Ta)
Tensão da movimentação (Max Rds On, Min Rds On)
10V
RDS (máximo) @ na identificação, Vgs
299mOhm @ 6A, 10V
Identificação de Vgs (th) (máximo) @
3.5V @ 250µA
Carga da porta (Qg) (máximo) @ Vgs
51 nC @ 10 V
Vgs (máximo)
±20V
Capacidade entrada (Ciss) (máximo) @ Vds
1948 PF @ 380 V
Característica do FET
-
Dissipação de poder (máxima)
125W (Tc)
Temperatura de funcionamento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Montando o tipo
Montagem de superfície
Pacote do dispositivo do fornecedor
Power88
Pacote/caso
4-PowerTSFN

 

 

Lista do produto:

FCMT299N60
Fabricante: No semicondutor
Tipo: MOSFET
Eletrônica de poder: Sim
VDSS: 600V
Identificação: 30A
RDS (sobre): 0.085Ω
Pacote/caso: TO-247-3
Configuração: Único
Polaridade: N-canal
Temperatura de funcionamento: -55°C a 175°C (TJ)
Paládio: 170W
Número de elementos: Único
Tensão de fonte de porta máxima: ±20V
Tensão de Máximo Drenagem Fonte: 600V
Máximo Drenagem Atual: 30A
Resistência do Em-estado de Máximo Drenagem Fonte: 0.085Ω
Tensão mínima do ponto inicial da porta: 2.2V
Tensão máxima do ponto inicial da porta: 4.0V
Dissipação de poder: 170W
Montando o tipo: Através do furo

 

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Eletrônica de poder do MOSFET FCMT299N60 – eficiência elevada e dispositivo seguro do interruptor do poder para aplicações industriais

 

 

 

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Detalhes do produto
Number modelo :
FCMT299N60
Lugar de origem :
Original
MOQ :
1
Termos do pagamento :
L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Capacidade da fonte :
999999
Prazo de entrega :
1-3 dias
Fornecedor de contacto
Eletrônica de poder do MOSFET FCMT299N60 – eficiência elevada e dispositivo seguro do interruptor do poder para aplicações industriais

Shenzhen Sai Collie Technology Co., Ltd.

Verified Supplier
3 Anos
shenzhen
Desde 2007
Tipo de empresa :
Manufacturer, Distributor/Wholesaler, Agent, Importer, Exporter, Trading Company, Seller, Other
Produtos principais :
Microplaqueta programável de IC, Microplaqueta de IC do circuito integrado, Unidade do microcontrolador de MCU
Total Anual :
300 million-400 million
Número de trabalhadores :
100~150
Nível de certificação :
Verified Supplier
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