BSC072N08NS5ATMA1MOSFET Eletrônica de PotênciaN-Channel OptiMOSTM5 Power Transistor 80V
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Tipo FET
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Tecnologia
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MOSFET (Óxido Metálico)
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Dreno para Tensão da Fonte (Vdss)
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Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C
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Tensão do Drive (Max Rds On, Min Rds On)
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6V, 10V
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Rds On (Max) @ Id, Vgs
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7,2mOhm @ 37A, 10V
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Vgs(th) (Max) @ Id
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3,8V @ 36µA
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Carga do Gate (Qg) (Max) @ Vgs
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29 nC @ 10 V
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Vgs (Máx.)
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±20V
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Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds
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2100 pF @ 40 V
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Recurso FET
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-
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Dissipação de energia (máx.)
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2,5 W (Ta), 69 W (Tc)
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Temperatura de operação
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-55°C ~ 150°C (TJ)
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Tipo de montagem
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Pacote de dispositivos do fornecedor
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PG-TDSON-8-7
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Pacote / Estojo
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Características
• Otimizado para SMPS de alto desempenho, por exemplo, sync.rec.
•100% testado por avalanche
• Resistência térmica superior
• Canal N
• Qualificado de acordo com JEDEC1) para aplicações de destino
•Pb-livre de chumbo; compatível com RoHS
• Livre de halogênio de acordo com IEC 61249-2-21
