IRLHM630TRPBF MOSFET Power Electronics N-Channel 30V(DS)Pacote8-VQFN
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Tipo FET
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Tecnologia
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MOSFET (Óxido Metálico)
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Dreno para Tensão da Fonte (Vdss)
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Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C
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Tensão do Drive (Max Rds On, Min Rds On)
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2,5 V, 10 V
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Rds On (Max) @ Id, Vgs
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3,5mOhm @ 20A, 4,5V
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Vgs(th) (Max) @ Id
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1,1V @ 50µA
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Carga do Gate (Qg) (Max) @ Vgs
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62 nC @ 4,5 V
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Vgs (Máx.)
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±12V
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Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds
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3170 pF @ 25 V
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Recurso FET
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-
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Dissipação de energia (máx.)
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2,7W (Ta), 37W (Tc)
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Temperatura de operação
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-55°C ~ 150°C (TJ)
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Tipo de montagem
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Pacote de dispositivos do fornecedor
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QFN (3x3)
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Pacote / Estojo
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Formulários
MOSFET do inversor do motor DC operado por bateria
MOSFET de retificação síncrona do lado secundário
Características Benefícios
Baixo RDson (< 3,5 m) Menores perdas de condução
Baixa resistência térmica ao PCB (<3,4°C/W) Permite melhor dissipação térmica
Perfil baixo (<1,0 mm) resulta em maior densidade de potência
Pinagem padrão da indústria Compatibilidade de vários fornecedores
Compatível com técnicas existentes de montagem em superfície mais fácil
Manufatura
Em conformidade com a RoHS, sem chumbo, sem brometo e sem halogênio.
MSL1, Qualificação Industrial Maior Confiabilidade
