Especificações
Brand Name :
Hua Xuan Yang
Model Number :
AP9926A
Certification :
RoHS、SGS
Place of Origin :
ShenZhen China
Minimum Order Quantity :
Negotiation
Price :
Negotiated
Payment Terms :
L/C T/T Western Union
Supply Ability :
18,000,000PCS / Per Day
Delivery Time :
1 - 2 Weeks
Packaging Details :
Boxed
Product name :
Mosfet Power Transistor
Model :
AP9926A
Pack :
SOP-8
Marking :
AP9926A XXX YYYY
VDSDrain-Source Voltage :
20V
VGSGate-Sou rce Voltage :
±12V
Descrição

transistor de poder do Mosfet de 6.0A 20V SOP-8 para a proteção da bateria

 

Descrição geral:

 

O AP9926A usa tecnologia avançada da trincheira
para fornecer o RDS excelente (SOBRE), a baixa carga da porta e
operação com as tensões da porta tão baixas quanto 2.5V. Isto
o dispositivo é apropriado para o uso como a
Proteção da bateria ou na outra aplicação de comutação.

 

Características gerais

 

VDS = 20V IDENTIFICAÇÃO = 6A
RDS (SOBRE) < 25mΩ @ VGS=4.5V

 

Aplicação

 

Proteção da bateria
Interruptor da carga
Fonte de alimentação ininterrupta

 

 

Marcação do pacote e informação pedindo

 

Identificação do produto Bloco Marcação Qty (PCS)
AP9926A SOP-8 AP9926A XXX YYYY 3000

 

Ratings@Tj máximo absoluto =25 C (salvo disposição em contrário)

 

Símbolo Parâmetro Avaliação Unidades
V DS Tensão da Dreno-fonte 20 V
V GS Tensão da Porta-fonte +12 V
℃ de ID@TA =25 Drene a corrente, V GS @ 4.5V 3 6
℃ de ID@TA =70 Drene a corrente, V GS @ 4.5V 3 4,8
IDM Dreno pulsado Current1 26
P D@TA =25℃ Dissipação de poder total 2 W
  Fator Derating linear 0,016 W/ ℃
TSTG Variação da temperatura do armazenamento -55 a 150
TJ Variação da temperatura de funcionamento da junção -55 a 150
Rthj-a

Resistência térmica máxima, junção

ambiental

62,5 ℃/W

 

Characteristics@Tj elétrico =25 C (salvo disposição em contrário)

 

 

 

Símbolo

 

Parâmetro

 

Condições de teste

 

Mínimo.

 

Tipo.

 

Máximo.

 

Unidades

BV DSS Tensão de divisão da Dreno-fonte VGS=0V, I D=250uA 20 - - V
RDS (SOBRE)

Dreno-fonte estática em

Resistência

VGS=4.5V, I D=6A - 21 25
VGS=2.5V, I D=4A - 32 45
V GS (th) Tensão do ponto inicial da porta VDS=VGS, ID=250uA - - 1,2 V
g fs Transcondutância dianteira VDS=10V, I D=6A - 6 - S
IDSS Corrente do escapamento da Dreno-fonte VDS=20V, V GS =0V - - 25 A

Corrente do escapamento da Dreno-fonte

(Tj=70 C)

VDS=20V, V GS=0V - - 250 A
IGSS Escapamento da Porta-fonte VGS=+12V, V DS=0V - - +100 nA
Qg Carga total da porta ID=6A - 11 17,6 nC
Qgs Carga da Porta-fonte - 1,1 - nC
Qgd Carga do Porta-dreno (“Miller”) - 4,1 - nC
TD (sobre) Tempo de atraso de ligação VDS=10V - 4,2 - ns
tr Tempo de elevação - 9 - ns
TD (fora) Tempo de atraso da volta-fora - 23 - ns

f

t

Tempo de queda - 3,5 - ns
Ciss Capacidade entrada   - 570 910 PF
Coss Capacidade de saída - 90 - PF
Crss Capacidade reversa de transferência - 85 - PF
Rg Resistência da porta f=1.0MHz - 1,6 2,4 Ω
V SD Para a frente na tensão IS=1.7A, V GS=0V - - 1,2 V
trr Tempo de recuperação reversa

IS=6A, V GS=0V,

dI/dt=100A/µs

- 21 - ns
Qrr Carga reversa da recuperação - 14 - nC

 

Símbolo

 

Parâmetro

 

Condições de teste

 

Mínimo.

 

Tipo.

 

Máximo.

 

Unidades

BV DSS Tensão de divisão da Dreno-fonte VGS=0V, I D=250uA 20 - - V
RDS (SOBRE)

Dreno-fonte estática em

Resistência

VGS=4.5V, I D=6A - 21 25
VGS=2.5V, I D=4A - 32 45
V GS (th) Tensão do ponto inicial da porta VDS=VGS, ID=250uA - - 1,2 V
g fs Transcondutância dianteira VDS=10V, I D=6A - 6 - S
IDSS Corrente do escapamento da Dreno-fonte VDS=20V, V GS =0V - - 25 A

Corrente do escapamento da Dreno-fonte

(Tj=70 C)

VDS=20V, V GS=0V - - 250 A
IGSS Escapamento da Porta-fonte VGS=+12V, V DS=0V - - +100 nA
Qg Carga total da porta ID=6A - 11 17,6 nC
Qgs Carga da Porta-fonte - 1,1 - nC
Qgd Carga do Porta-dreno (“Miller”) - 4,1 - nC
TD (sobre) Tempo de atraso de ligação VDS=10V - 4,2 - ns
tr Tempo de elevação - 9 - ns
TD (fora) Tempo de atraso da volta-fora - 23 - ns

f

t

Tempo de queda - 3,5 - ns
Ciss Capacidade entrada   - 570 910 PF
Coss Capacidade de saída - 90 - PF
Crss Capacidade reversa de transferência - 85 - PF
Rg Resistência da porta f=1.0MHz - 1,6 2,4 Ω
V SD Para a frente na tensão IS=1.7A, V GS=0V - - 1,2 V
trr Tempo de recuperação reversa

IS=6A, V GS=0V,

dI/dt=100A/µs

- 21 - ns
Qrr Carga reversa da recuperação - 14 - nC

 

Atenção

 

1, os nenhuns e os todos os produto da microeletrônica de APM descrito ou contido nisto não tem as especificações que podem segurar as aplicações que exigem extremamente níveis elevados de confiança, tais como sistemas de manutenção das funções vitais, sistemas de controlo de avião, ou outras aplicações cuja a falha pode razoavelmente ser esperada conduzir a dano físico e/ou material sério. Consulte com sua microeletrônica que de APM o mais próximo representativo você antes de usar algum produto da microeletrônica de APM descreveu ou conteve nisto em tais aplicações.

2, microeletrônica de APM não supõem nenhuma responsabilidade para as falhas de equipamento que resultado de usar produtos nos valores que excedem, mesmo momentaneamente, os valores avaliados (tais como avaliações máximas, escalas da condição operacional, ou outros parâmetros) alistados em especificações de produtos de todos os e todos os produtos da microeletrônica de APM descritos ou contidos nisto.

3, especificações de alguns e todos os produtos da microeletrônica de APM descreveram ou contiveram aqui o instipulate o desempenho, as características, e as funções dos produtos descritos no estado independente, e não são garantias do desempenho, das características, e das funções dos produtos descritos montados tão nos produtos ou no equipamento do cliente. Para verificar os sintomas e os estados que não podem ser avaliados em um dispositivo independente, o cliente deve sempre avaliar e testar os dispositivos montados nos produtos ou no equipamento do cliente.

4, semicondutor CO. da microeletrônica de APM, LTD. esforçam-se para fornecer os produtos altos de alta qualidade da confiança. Contudo, alguns e todos os produtos de semicondutor falham com alguma probabilidade. É possível que estas falhas probabilísticas poderiam causar os acidentes ou os eventos que poderiam pôr em perigo as vidas humanas que poderiam causar para fumar ou atear fogo, ou aquela poderia causar dano à outra propriedade. O equipamento de Whendesigning, adota medidas de segurança de modo que estes tipos dos acidentes ou dos eventos não possam ocorrer. Tais medidas incluem mas não são limitadas aos circuitos protetores e aos circuitos da prevenção de erro para o projeto seguro, o projeto redundante, e o projeto estrutural.

5, caso alguns ou todos os produtos da microeletrônica de APM (que incluem dados, serviços técnicos) descritos ou contidos nisto forem controlados sob alguns de leis e de regulamentos aplicáveis de controlo de exportações locais, tais produtos não devem ser exportados sem obter a licença de exportação das autoridades referidas de acordo com a lei acima.

6, nenhuma parte desta publicação podem ser reproduzidos ou transmitido em todo o formulário ou por qualquer meio, eletrônico ou mecânico, incluindo a fotocópia e a gravação, ou o qualquer sistema de armazenamento ou de recuperação de informação, ou de outra maneira, sem a autorização escrita prévia do semicondutor CO. da microeletrônica de APM, LTD.

7, informação (incluindo esquemas de circuito e parâmetros do circuito) são nisto por exemplo somente; não se garante para a produção de volume. A microeletrônica de APM acredita que a informação nisto é exata e segura, mas nenhuma garantia está feita ou implicada em relação a seu uso ou a todas as infrações dos direitos de propriedade intelectual ou dos outros direitos de terceiros.

8, alguns e toda a informação descritos ou contidos nisto são sujeitos mudar sem aviso prévio devido ao produto/melhoria da tecnologia, etc. Ao projetar o equipamento, refira da “a especificação entrega” para o produto da microeletrônica de APM que você pretende se usar.

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Beijing Silk Road Enterprise Management Services Co.,LTD

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