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Disposições dos MOSFETs dos FETs dos transistor do transistor de efeito de campo de AUIRF7309Q
Disposições dos MOSFETs dos FETs dos transistor do transistor de efeito de campo de AUIRF7309Q
Especificações
Número da peça :
AUIRF7309Q
Fabricante :
Infineon Technologies
Descrição :
MOSFET N/P-CH 30V 4A/3A 8SOIC
Categoria :
Transistor - FETs, MOSFETs - disposições
Família :
Transistor - FETs, MOSFETs - disposições
Série :
HEXFET®
Lugar de origem :
Original
MOQ :
Negociável
Prazo de entrega :
Negociável
Termos do pagamento :
T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Capacidade da fonte :
100000
Descrição

Especificações de AUIRF7309Q

Estado da parte Obsoleto
Tipo do FET N e P-canal
Característica do FET Porta do nível da lógica
Drene à tensão da fonte (Vdss) 30V
Atual - dreno contínuo (identificação) @ 25°C 4A, 3A
RDS (máximo) @ na identificação, Vgs 50 mOhm @ 2.4A, 10V
Identificação de Vgs (th) (máximo) @ 3V @ 250µA
Carga da porta (Qg) (máximo) @ Vgs 25nC @ 4.5V
Capacidade entrada (Ciss) (máximo) @ Vds 520pF @ 15V
Poder - máximo 1.4W
Temperatura de funcionamento -55°C ~ 150°C (TJ)
Montando o tipo Montagem de superfície
Pacote/caso 8-SOIC
Pacote do dispositivo do fornecedor 8-SO
Expedição UPS/EMS/DHL/FedEx expresso.
Circunstância Fábrica original nova.

Empacotamento de AUIRF7309Q

Detecção

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Detalhes do produto
Número da peça :
AUIRF7309Q
Fabricante :
Infineon Technologies
Descrição :
MOSFET N/P-CH 30V 4A/3A 8SOIC
Categoria :
Transistor - FETs, MOSFETs - disposições
Família :
Transistor - FETs, MOSFETs - disposições
Série :
HEXFET®
Fornecedor de contacto
Disposições dos MOSFETs dos FETs dos transistor do transistor de efeito de campo de AUIRF7309Q

KZ TECHNOLOGY (HONGKONG) LIMITED

Active Member
3 Anos
Desde 2008
Tipo de empresa :
Manufacturer, Distributor/Wholesaler, Agent, Importer, Exporter, Seller
Produtos principais :
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Número de trabalhadores :
80~100
Nível de certificação :
Active Member
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