MOSFET do poder de IRFP250N

A solução perfeita para aplicações atuais de alta tensão e altas

Você está procurando um MOSFET seguro para seu projeto eletrônico seguinte? Olhe não mais adicional do que o MOSFET do poder de IRFP250N. Este MOSFET vem com um anfitrião dos benefícios que lhe fazem a solução perfeita para aplicações atuais de alta tensão e altas.

Profissionais:

- Capacidade de alta tensão até de 200V

- A baixa em-resistência (0,07 ohms), significando o pode segurar níveis atuais altos

- Velocidade de comutação alta para a operação rápida e eficiente

- Projeto durável e duradouro

- Fácil instalar e integrar em circuitos existentes

- Fixação do preço disponível, fazendo lhe uma opção eficaz na redução de custos para DIYers e profissionais igualmente

Contra:

- Pode exigir refrigerar adicional para impedir superaquecer em aplicações do poder superior

- Não ideal para aplicações da baixa tensão

- Não pode ser apropriada para aplicações exigir o controle extremamente preciso

Em resumo, o MOSFET do poder de IRFP250N é uma escolha excelente para aplicações atuais de alta tensão e altas. Suas capacidade de alta tensão, baixa em-resistência, e velocidade de comutação rápida para fazer-lhe uma opção segura e disponível para DIYers e profissionais. Contudo, pode exigir refrigerar adicional e não pode ser apropriada para a baixa tensão ou aplicações altamente precisas.

Características técnicas:

• Montando o estilo: Através do furo
• Pacote/caso: TO-247-3
• Polaridade do transistor: N-canal
• Número de canais: 1 canal
• Vds - tensão de divisão da Dreno-fonte: 200 V
• Identificação - corrente contínua do dreno: 30 A
• RDS - na resistência da Dreno-fonte: 75 mOhms
• Vgs - tensão da Porta-fonte: - 20 V, + 20 V
• Temperatura de funcionamento mínima: - 55 C
• Temperatura de funcionamento máximo: + 175 C
• Paládio - dissipação de poder: 214 W
• Modo do canal: Realce
• Tipo: Configuração de Infineon/IR: Único
• Tempo de queda: 33 ns
• Altura: 20,7 milímetros
• Comprimento: 15,87 milímetros
• Tipo de produto: MOSFET
• Tempo de elevação: 43 ns
• Subcategoria: MOSFETs
• Tipo do transistor: 1 N-canal
• Tempo de atraso típico da volta-Fora: 41 ns
• Tempo de atraso de ligação típico: 14 ns
• Largura: unidade de 5,31 milímetros
• Peso: 0,211644 onças