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FETs dos transistor do MOSFET 49V 80A do N-canal de BTS282Z E3230 TO220-7
FETs dos transistor do MOSFET 49V 80A do N-canal de BTS282Z E3230 TO220-7
FETs dos transistor do MOSFET 49V 80A do N-canal de BTS282Z E3230 TO220-7
FETs dos transistor do MOSFET 49V 80A do N-canal de BTS282Z E3230 TO220-7
Especificações
Number modelo :
BTS282Z E3230
Lugar de origem :
Malásia
MOQ :
10pieces
Termos do pagamento :
T/T, Western Union
Capacidade da fonte :
500000PCS
Prazo de entrega :
2-15days
Detalhes de empacotamento :
pacote padrão
Família :
Produtos de semicondutores discretos
Categoria :
Componentes Eletrônicos-MOSFET (óxido metálico)
Série :
MOSFET do poder
Número da peça baixa :
BTS282Z
Detalhes :
MOSFET N-CH 49V 80A 7-Pin automotivo do transporte (7+Tab) TO-220
Tipo :
Transistores - FETs, MOSFETs - Simples
Descrição :
MOSFET 49V 80A do N-canal
Pacote :
TO220-7
Montando o tipo :
Através do furo
Resíduos :
Em estoque
Descrição

FETs dos transistor do MOSFET 49V 80A do N-canal de BTS282Z E3230 TO220-7

MOSFET do poder BTS282ZE3230AKSA2 de Infineon Technologies. Sua dissipação de poder máxima é 300000 mW.

A fim assegurar as peças não são danificados pelo empacotamento de maioria, este produto vem no tubo que empacota para adicionar um pouco de mais

proteção armazenando as peças fracas em um tubo exterior.

Este transistor do MOSFET tem uma variação da temperatura de funcionamento do °C -40 aos 175 °C.

Este transistor do MOSFET do canal de N opera-se no modo do realce.

Especificação:

Categoria
Produtos de semicondutor discretos
　
Transistor - FETs, MOSFETs - únicos
Mfr
Infineon Technologies
Série
TEMPFET®
Pacote
Tubo
Estado da parte
Obsoleto
Tipo do FET
N-canal
Tecnologia
MOSFET (óxido de metal)
Drene à tensão da fonte (Vdss)
49 V
Atual - dreno contínuo (identificação) @ 25°C
80A (Tc)
Tensão da movimentação (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
RDS (máximo) @ na identificação, Vgs
6.5mOhm @ 36A, 10V
Identificação de Vgs (th) (máximo) @
2V @ 240µA
Carga da porta (Qg) (máximo) @ Vgs
232 nC @ 10 V
Vgs (máximo)
±20V
Capacidade entrada (Ciss) (máximo) @ Vds
4800 PF @ 25 V
Característica do FET
Temperatura que detecta o diodo
Dissipação de poder (máxima)
300W (Tc)
Temperatura de funcionamento
-40°C ~ 175°C (TJ)
Montando o tipo
Através do furo
Pacote do dispositivo do fornecedor
P-TO220-7-230
Pacote/caso
TO-220-7

Classificações ambientais & da exportação
ATRIBUTO DESCRIÇÃO
Estado de RoHS ROHS3 complacente
Nível da sensibilidade de umidade (MSL) 1 (ilimitado)
Estado do ALCANCE ALCANCE não afetado
ECCN EAR99
HTSUS

8541.29.0095

Número da peça BTS282Z E3230
Número da peça baixa BTS282Z
UE RoHS Complacente com isenção
ECCN (E.U.) EAR99
Estado da parte Ativo
HTS 8541.29.00.95

FETs dos transistor do MOSFET 49V 80A do N-canal de BTS282Z E3230 TO220-7FETs dos transistor do MOSFET 49V 80A do N-canal de BTS282Z E3230 TO220-7

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FETs dos transistor do MOSFET 49V 80A do N-canal de BTS282Z E3230 TO220-7

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Detalhes do produto
Number modelo :
BTS282Z E3230
Lugar de origem :
Malásia
MOQ :
10pieces
Termos do pagamento :
T/T, Western Union
Capacidade da fonte :
500000PCS
Prazo de entrega :
2-15days
Fornecedor de contacto
FETs dos transistor do MOSFET 49V 80A do N-canal de BTS282Z E3230 TO220-7
FETs dos transistor do MOSFET 49V 80A do N-canal de BTS282Z E3230 TO220-7

Angel Technology Electronics Co

Verified Supplier
4 Anos
hongkong, shenzhen
Desde 2006
Tipo de empresa :
Manufacturer, Distributor/Wholesaler, Agent
Produtos principais :
, ,
Total Anual :
80 millions-500 millions
Número de trabalhadores :
20~200
Nível de certificação :
Verified Supplier
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