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V20PWM45 Vishay Semiconductor TMBS Trench MOS Barrier Schottky Retificador
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V20PWM45 Vishay Semiconductor TMBS Trench MOS Barrier Schottky Retificador
V20PWM45 Vishay Semiconductor TMBS Trench MOS Barrier Schottky Retificador
V20PWM45 Vishay Semiconductor TMBS Trench MOS Barrier Schottky Retificador
V20PWM45 Vishay Semiconductor TMBS Trench MOS Barrier Schottky Retificador
Especificações
Number modelo :
V20PWM45-M3/I V20PWM45HM3/I
Lugar de origem :
China
MOQ :
10
Termos do pagamento :
T/T, Western Union
Capacidade da fonte :
500000PCS
Prazo de entrega :
2-15days
Detalhes de empacotamento :
pacote padrão
Família :
Produtos de semicondutores discretos-retificador
Categoria :
componentes eletrônicos
Série :
Retificador Schottky de barreira MOS de trincheira TMBS
Número da peça baixa :
V20PWM45
Detalhes :
Diodo Schottky 45 V 20A Montagem em Superfície SlimDPAK
Tipo :
Transistores - FETs, MOSFETs - Simples
Descrição :
DIODO SCHOTTKY 45V 20A SLIMDPAK
Pacote :
DPak (2 derivações + guia), TO263
Montando o tipo :
Montagem de superfície
Resíduos :
Em estoque
Descrição

V20PWM45 V20PWM45C-M3/I Vishay Semiconductor Alta densidade de corrente TMBS Trincheira MOS Barreira Schottky Retificador DPAK Produtos semicondutores discretos

V20PWM45:Retificador de montagem em superfície de alta densidade de corrente TMBS® (Trench MOS Barrier Schottky) Ultra Low VF = 0,35 V em IF = 5 A
V20PWM45CRetificador de montagem em superfície de alta densidade de corrente TMBS® (Trench MOS Barrier Schottky) Ultra Low VF = 0,39 V em IF = 5 A

FORMULÁRIOS
Para uso em conversores DC/DC de alta frequência de baixa tensão,
diodos de roda livre e aplicações de proteção de polaridade

RECURSOS
• Perfil muito baixo - altura típica de 1,3 mm
• Tecnologia Trench MOS Schottky
• Ideal para posicionamento automatizado
• Baixa queda de tensão direta, baixas perdas de energia
• Operação de alta eficiência
• Atende ao nível 1 do MSL, conforme J-STD-020,
pico máximo de LF de 260 °C
• Disponível com qualificação AEC-Q101
- Código de pedido automotivo: base P/NHM3
• Categorização de materiais


Descrição
Este HEXFET® Power MOSFET utiliza as mais recentes técnicas de processamento para obter uma resistência extremamente baixa por área de silício.
As características adicionais deste produto são uma temperatura de operação de junção de 175°C, velocidade de comutação rápida e classificação de avalanche repetitiva aprimorada.Esses recursos se combinam para tornar este projeto um dispositivo extremamente eficiente e confiável para uso em uma ampla variedade de aplicações.

Recursos :
Tecnologia de Processo Avançada Resistência Ultra Baixa 175°C Temperatura de Operação Troca Rápida Avalanche Repetitiva Permitida até Tjmax D-Pak IRLR3915PbF I-Pak IRLU3915PbF Lea

Especificações Técnicas do Produto

Categoria
Produtos de semicondutores discretos
　
Diodos - Retificadores - Simples
Mfr
Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos
Series
Automotivo, AEC-Q101, eSMP®, TMBS®
Pacote
Fita e bobina (TR)
Status da peça
Ativo
Tipo de diodo
Schottky
Tensão - DC Reversa (Vr) (Max)
45 V
Corrente - Média Retificada (Io)
20A
Tensão - Direto (Vf) (Max) @ If
660 mV @ 20 A
Velocidade
Recuperação Rápida = < 500ns, > 200mA (Io)
Corrente - Vazamento Reverso @ Vr
700 µA @ 45 V
Capacitância @ Vr, F
3100pF @ 4V, 1MHz
Tipo de montagem
Montagem em Superfície
Pacote / Estojo
TO-252-3, DPak (2 derivações + guia), SC-63
Pacote de dispositivos do fornecedor
SlimDPAK
Temperatura de Operação - Junção
-40°C ~ 175°C
Número do produto base
V20PWM45
Número da peçaV20PWM45-M3/I V20PWM45HM3/I
Número da peça básicaV20PWM45C-M3/I
RoHS da UEEm conformidade com a isenção
ECCN (EUA)EAR99
Status da peçaAtivo
HTS8541.29.00.95


V20PWM45 Vishay Semiconductor TMBS Trench MOS Barrier Schottky RetificadorV20PWM45 Vishay Semiconductor TMBS Trench MOS Barrier Schottky Retificador


V20PWM45 Vishay Semiconductor TMBS Trench MOS Barrier Schottky Retificador

Mais número de peça para General Semiconductor:

Número da peçaMFGTipo de pacote
BYV26CSemicondutores VISHAYSOD-57
BYV26EGPSemicondutores VISHAYDO-15
BYV26E-TAPSemicondutores VISHAYSOD-57
BYV26EGPSemicondutores VISHAYDO-15
BYV26E-TAPSemicondutores VISHAYSOD-57
BYV26C-TAPSemicondutores VISHAYSOD-57
SI2309CDS-T1-GE3Semicondutores VISHAYSOT-23
SI2301CDS-T1-GE3Semicondutores VISHAYSOT-23
SI2307CDS-T1-GE3Semicondutores VISHAYSOT-23
SF1600-TAPSemicondutores VISHAYSOD-57
SF1600-TAPSemicondutores VISHAYSOD-57
SI2333CDS-T1-GE3Semicondutores VISHAYSOT-23
SI2303CDS-T1-GE3Semicondutores VISHAYSOT-23
SI2304DDS-T1-GE3Semicondutores VISHAYSOT-23
SI2302CDS-T1-GE3Semicondutores VISHAYSOT-23
SI2305CDS-T1-GE3Semicondutores VISHAYSOT-23
SBYV26CSemicondutores VISHAYDO-41
BZX55C24-TAPSemicondutores VISHAYDO-35
BYV27-200Semicondutores VISHAYSOD-57
BYV27-600-TAPSemicondutores VISHAYSOD-57
BYV27-600-TAPSemicondutores VISHAYSOD-57
BYV27-200-TAPSemicondutores VISHAYSOD-57
BYV28-200-TAPSemicondutores VISHAYSOD-64
SBYV26CSemicondutores VISHAYDO-41
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Detalhes do produto
Number modelo :
V20PWM45-M3/I V20PWM45HM3/I
Lugar de origem :
China
MOQ :
10
Termos do pagamento :
T/T, Western Union
Capacidade da fonte :
500000PCS
Prazo de entrega :
2-15days
Fornecedor de contacto
V20PWM45 Vishay Semiconductor TMBS Trench MOS Barrier Schottky Retificador
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Angel Technology Electronics Co

Verified Supplier
4 Anos
hongkong, shenzhen
Desde 2006
Tipo de empresa :
Manufacturer, Distributor/Wholesaler, Agent
Produtos principais :
, ,
Total Anual :
80 millions-500 millions
Número de trabalhadores :
20~200
Nível de certificação :
Verified Supplier
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