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GaN dopado com magnésio tipo P de 4 polegadas em bolacha de safira SSP resistividade ~ 10Ω cm LED laser PIN bolacha epitaxial
GaN dopado com magnésio tipo P de 4 polegadas em bolacha de safira SSP resistividade ~ 10Ω cm LED laser PIN bolacha epitaxial
Especificações
Number modelo :
JDWY03-001-024
Lugar de origem :
Suzhou China
Termos do pagamento :
T/T
Capacidade da fonte :
10000pcs/Month
Prazo de entrega :
3-4 dias da semana
Detalhes de empacotamento :
Embalagem a vácuo em um ambiente de sala limpa classe 10000, em cassetes de 6 peças ou recipientes d
Dimensões :
100 ± 0.2mm
Nome do produto :
4-inch MG-lubrificou GaN/Sapphire Substrates
Tipo da condução :
P-tipo
Concentração de portador :
> ³ do cm⁻ do ⁷ de 1 x 10 ¹ (que lubrifica a concentração de ³ do cm⁻ do ⁹ do ¹ do ≥ 5 x 10 de p+GaN
Resistividade (300K) :
< 10="">
Mobilidade :
> ² /V de 5cm·s
Descrição

GaN dopado com magnésio tipo P de 4 polegadas em wafer de safira resistividade SSP ~ 10Ω cm LED, laser, wafer epitaxial PIN

As propriedades elétricas do GaN dopado com Mg do tipo p são investigadas através de medidas de efeito Hall em temperatura variável.Amostras com uma gama de concentrações de dopagem com Mg foram preparadas por deposição química metalorgânica em fase de vapor.

Vários fenômenos são observados à medida que a densidade do dopante aumenta para valores altos normalmente usados ​​em aplicações de dispositivos: a profundidade de energia do aceitador efetivo diminui de 190 para 112 meV, a condução de impurezas em baixa temperatura torna-se mais proeminente, a taxa de compensação aumenta e o a mobilidade da banda de valência cai drasticamente.

Substratos de GaN/safira dopados com Mg de 4 polegadas
Item GaN-TCP-C100

GaN dopado com magnésio tipo P de 4 polegadas em bolacha de safira SSP resistividade ~ 10Ω cm LED laser PIN bolacha epitaxial
Dimensões 100 ± 0,2 mm
Espessura/espessura STD 4,5 ± 0,5 μm / < 3%
Orientação Plano C (0001) fora do ângulo em direção ao eixo A 0,2 ± 0,1 °
Orientação Plana de GaN (1-100) 0 ± 0,2 °, 30 ± 1 mm
Tipo de Condução tipo P
Resistividade (300K) < 10 Ω·cm
Concentração de Portadores > 1 x 1017cm-3(concentração de dopagem de p+GaN ≥ 5 x 1019cm-3)
Mobilidade > 5 cm2/V·s
* XRD FWHMs (0002) < 300 segundos de arco, (10-12) < 400 segundos de arco
Estrutura

~ 0,5 μm p+GaN/~ 1,5 μm p-GaN /~ 2,5 μm uGaN /~ 25 nm uGaN

tampão/430 ± 25 μm safira
Orientação de Safira Plano C (0001) fora do ângulo em direção ao eixo M 0,2 ± 0,1 °
Orientação Plana de Safira (11-20) 0 ± 0,2 °, 30 ± 1 mm
polonês safira Lado único polido (SSP) / Lado duplo polido (DSP)
Área Útil > 90% (exclusão de defeitos de borda e macro)
Pacote

Embalado em uma sala limpa em recipientes:

caixa de wafer única (< 3 PCS) ou cassete (≥ 3 PCS)

Sobre nós

Nós nos especializamos no processamento de uma variedade de materiais em wafers, substratos e peças personalizadas de vidro óptico. Componentes amplamente utilizados em eletrônica, óptica, optoeletrônica e muitos outros campos.Também trabalhamos em estreita colaboração com muitas universidades nacionais e estrangeiras, instituições de pesquisa e empresas, fornecendo produtos e serviços personalizados para seus projetos de P&D.É nossa visão manter um bom relacionamento de cooperação com todos os nossos clientes por nossa boa reputação.

Perguntas frequentes

Q: você está negociando empresa ou fabricante?
Nós somos fábrica.
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Geralmente leva de 3 a 5 dias se as mercadorias estiverem em estoque.
ou leva de 7 a 10 dias se as mercadorias não estiverem em estoque, é de acordo com a quantidade.
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Sim, podemos oferecer a amostra gratuitamente, mas não pagamos o custo do frete.
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Pagamento <=5000USD, 100% adiantado.
Pagadores >=5000USD, 80% T/T adiantado, saldo antes do envio.

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Prazo de entrega :
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Shanghai GaNova Electronic Information Co., Ltd.

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4 Anos
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Desde 2020
Tipo de empresa :
Fabricante
Produtos principais :
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Número de trabalhadores :
>100
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