Especificações
Number modelo :
JDWY03-001-031
Lugar de origem :
Suzhou China
Termos do pagamento :
T/T
Capacidade da fonte :
10000pcs/Month
Prazo de entrega :
3-4 dias da semana
Detalhes de empacotamento :
Embalagem a vácuo em um ambiente de sala limpa classe 10000, em cassetes de 6 peças ou recipientes d
Tipo :
Safira lisa
Nome do produto :
azul da GaN-em-safira 4inch/bolacha verde do diodo emissor de luz
Polonês :
Único lado lustrado (SSP)/lado dobro lustrado (DSP)
Dimensão :
100 ± 0.2mm
Orientação :
Plano de C (0001) fora do ângulo para o ± 0.1° da M-linha central 0,2
Espessura :
650 ± 25μm
Descrição

LED azul de 4 polegadas GaN Epitaxial Wafer On Sapphire SSP Plano C (0001) Off Ângulo em direção ao eixo M 0,2 ± 0,1°

Wafer epitaxial GaN de LED azul de 4 polegadas em safira SSP

A utilização da radiação azul na tecnologia LED oferece duas vantagens específicas – uma, consome menos energia, duas, é mais eficiente em termos de produção de luz.Por exemplo, de 2014 a 2018, com o avanço do fósforo, a eficiência dos LEDs azuis aumentou de 130-140 lm/W para 200-210 lm/W.


Outro grande problema na produção de LEDs azuis foi a dificuldade em dopar o GaN com precisão.No final da década de 1980, Amano e Akasaki descobriram que, quando o GaN era dopado com átomos de zinco, ele emitia mais luz e, portanto, proporcionava uma melhor dopagem.Esse fenômeno foi posteriormente explicado em um artigo de Nakamura.

Wafer de LED azul/verde de GaN sobre safira de 4 polegadas

Substrato

Tipo Safira Plana

LED azul de 4 polegadas GaN Epitaxial Wafer C Plane Flat Sapphire

polonês Lado único polido (SSP) / Lado duplo polido (DSP)
Dimensão 100 ± 0,2 mm
Orientação Plano C (0001) fora do ângulo em direção ao eixo M 0,2 ± 0,1°
Grossura 650 ± 25 μm

Epicamada

Estrutura 0,2μm pGaN/0,5μm MQWs/2,5μm nGaN/2,0μm uGaN
Grossura 5,5 ± 0,5 μm
Rugosidade (Ra) <0,5 nm
Densidade de deslocamento < 5 × 108cm-2
Comprimento de onda LED azul LED verde
465 ± 10 nm 525 ± 10 nm
FWHMs de comprimento de onda < 25 nm < 40 nm
Desempenho do chip Tensão de corte @ 1μA 2,3-2,5V 2,2-2,4V
Área Útil > 90% (exclusão de defeitos de borda e macro)

Pacote

Embalado em uma sala limpa em um único recipiente de wafer

Sobre nós

Nós nos especializamos no processamento de uma variedade de materiais em wafers, substratos e peças personalizadas de vidro óptico. Componentes amplamente utilizados em eletrônica, óptica, optoeletrônica e muitos outros campos.Também trabalhamos em estreita colaboração com muitas universidades nacionais e estrangeiras, instituições de pesquisa e empresas, fornecendo produtos e serviços personalizados para seus projetos de P&D.É nossa visão manter um bom relacionamento de cooperação com todos os nossos clientes por nossa boa reputação.

Perguntas frequentes

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Sim, podemos oferecer a amostra gratuitamente, mas não pagamos o custo do frete.
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LED azul de 4 polegadas GaN Epitaxial Wafer C Plane Flat Sapphire

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JDWY03-001-031
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T/T
Capacidade da fonte :
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Prazo de entrega :
3-4 dias da semana
Detalhes de empacotamento :
Embalagem a vácuo em um ambiente de sala limpa classe 10000, em cassetes de 6 peças ou recipientes d
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LED azul de 4 polegadas GaN Epitaxial Wafer C Plane Flat Sapphire

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