Fonte de alimentação de comutação da tensão 270W 115nC 80 MOhms do transistor de poder superior 35A de TK35N65W 650V
Aplicações
Reguladores de tensão de comutação
MOSFETs de Toshiba DTMOSIV para usar o único processo epitaxial avançado, que fornece um 30%
redução no RDS (sobre), uma figura de mérito (FOM) para MOSFETs, comparado a seu antecessor, DTMOSIII.
Esta redução no RDS (sobre) torna possível abrigar umas mais baixas microplaquetas do RDS (sobre) nos mesmos pacotes.
Isto ajuda a melhorar a eficiência e reduzir o tamanho de fontes de alimentação. MOSFETs de Toshiba DTMOSIV
seja ideal para o uso com reguladores de interruptor.
Características
Especificações
Atributo de produto | Valor de atributo |
---|---|
Categoria de produto: | MOSFET |
Si | |
Através do furo | |
TO-247-3 | |
N-canal | |
1 canal | |
650 V | |
35 A | |
80 mOhms | |
- 30 V, + 30 V | |
4,5 V | |
115 nC | |
- 55 C | |
+ 150 C | |
270 W | |
Tubo | |
Altura: | 20,95 milímetros |
Comprimento: | 15,94 milímetros |
Tipo de produto: | MOSFET |
Guia de troca
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