MOSFET POWER através do buraco (TO-254AA)
Resumo do produto Número da peça RDS ((on) ID IRFM250 0,100 Ω 27.4A
IRFM250 JANTX2N7225 JANTXV2N7225 REF:MIL-PRF-19500/592 200V, TECNOLOGIA HEXFET® MOSFET N-CHANNEL
O IRFM250 é um MOSFET N-canal de alta potência projetado para várias aplicações, incluindo fontes de alimentação, controle de motor e circuitos de comutação.Este MOSFET oferece desempenho e eficiência excepcionais com sua baixa resistência e alta capacidade de manuseio de corrente.

| Infineon | |
| Categoria do produto: | MOSFET |
| Sim | |
| Através do Buraco | |
| TO-254-3 | |
| N-canal | |
| 1 Canal | |
| 200 V | |
| 27.4 A | |
| 105 mOhms | |
| - 20 V, + 20 V | |
| - 55 C. | |
| + 150 C | |
| 150 W | |
| Reforço | |
| Marca: | Infineon / IR |
| Configuração: | Solteiro |
| Tempo de queda: | 130 ns |
| Altura: | 130,84 mm |
| Duração: | 130,84 mm |
| Tipo de produto: | MOSFET |
| Hora de subida: | 190 ns |
| Subcategoria: | MOSFETs |
| Tipo de transistor: | 1 canal N |
| Tempo típico de atraso da desligação: | 170 ns |
| Tempo típico de atraso da ligação: | 35 ns |
| Largura: | 6.6 mm |
| Peso unitário: | 0.011993 onças |
O IRFM250 Power MOSFET é adequado para as seguintes aplicações:
A tabela a seguir apresenta as principais especificações do MOSFET de potência IRFM250:
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Regresso |
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