Especificações
Número do modelo :
IRFP4668PBF
Local de origem :
Origem
Quantidade mínima de encomenda :
5pcs
Condições de pagamento :
T/T, Western Union, MoneyGram, paypal
Capacidade de abastecimento :
8000pcs pela boca
Tempo de entrega :
8-13 dias
Detalhes da embalagem :
400pcs/tubo
Categoria de produtos :
IRFP4668PBF
Descrição :
Transistor 130 A 200 V 520W 9,7 mOhms TO-247AC
Garantia :
3 meses
Transporte por :
DHL \ UPS \ Fedex \ cargo do EMS \ HK
Peso unitário :
6G
Descrição

IRFP4668PBF MOSFET de canal N 130 A 200 V TO-247AC

Aplicações

Rectificação síncrona de alta eficiência em SMPS

Fornecimento de energia ininterrupto

Comutação de potência de alta velocidade

Circuitos de alta frequência

Benefícios

Melhoria da robustez do portão, da avalanche e do dV/dt dinâmico

Capacidade totalmente caracterizada e SOA de avalanche

Capacidade de diodo de corpo dV/dt e dI/dt melhorada

Sem chumbo

Classificações máximas absolutas

MOSFET de canal N IRFP4668PBF Transistor 130 A 200 V 520W 9,7 MOhms TO-247AC

Estação estática @ TJ = 25°C (a menos que especificado em contrário)

MOSFET de canal N IRFP4668PBF Transistor 130 A 200 V 520W 9,7 MOhms TO-247AC

Repetitivo; largura de pulso limitada pela temperatura máxima de junção. Limitada por TJmax, TJ inicial = 25°C, L = 0,23mH RG = 25Ω, IAS = 81A, VGS = 10V. Parte não recomendada para utilização acima deste valor.ISD ≤ 81A, di/dt ≤ 520A/μs, VDD ≤ V(BR) DSS, TJ ≤ 175°C. Largura de pulso ≤ 400μs; ciclo de funcionamento ≤ 2%.(TR) é uma capacitância fixa que dá o mesmo tempo de carregamento que Coss enquanto o VDS está aumentando de 0 para 80% VDSS. Coss ef. (ER) é uma capacitância fixa que dá a mesma energia que Coss enquanto o VDS está aumentando de 0 a 80% VDSS. Quando montado em um PCB quadrado de 1 " (Material FR-4 ou G-10).Para as técnicas recomendadas de pegada e de solda, ver nota de aplicação #AN-994. Rθ é medida a TJ aproximadamente 90°C.

Especificações

Atributo do produto Valor de atributo
N-canal
1 Canal
200 V
130 A
9.7 mOhms
- 30 V, + 30 V
1.8 V
161 dC
- 55 C.
+ 175 C
520 W
Tempo de queda: 74 ns
Transcondutividade para a frente - Min: 150 S
Altura: 20.7 mm
Duração: 15.87 mm
Hora de subida: 105 ns
Tempo típico de atraso da desligação: 64 ns
Tempo típico de atraso da ligação: 41 ns

Guia de negociação

Transportes marítimos Período de entrega Para peças em estoque, as encomendas são estimadas para ser enviadas em 3 dias.
Uma vez enviado, o tempo de entrega estimado depende dos transportadores abaixo escolhidos:
DHL Express, 3-7 dias úteis.
DHL eCommerce, 12-22 dias úteis.
FedEx International Priority, 3-7 dias úteis
EMS, 10-15 dias úteis.
Correio aéreo registado, 15 a 30 dias úteis.
Taxas de transporte Depois de confirmar a encomenda, avaliaremos o custo de envio com base no peso das mercadorias
Opção de transporte Fornecemos DHL, FedEx, EMS, SF Express e Registro de Correio Aéreo de envio internacional.
Rastreamento de embarque Vamos notificá-lo por e-mail com o número de rastreamento assim que a encomenda for enviada.

Regresso

Garantia

Regresso As devoluções são normalmente aceites quando concluídas no prazo de 30 dias a contar da data de expedição.As peças devem estar não utilizadas e na embalagem original.O cliente deve assumir o encargo do transporte.
Garantia Todas as compras de Retechip vêm com uma política de devolução de dinheiro de 30 dias. Esta garantia não se aplica a qualquer item onde os defeitos foram causados por montagem incorreta do cliente,Incumprimento das instruções pelo cliente, modificação do produto, utilização negligente ou imprópria
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MOSFET de canal N IRFP4668PBF Transistor 130 A 200 V 520W 9,7 MOhms TO-247AC

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8000pcs pela boca
Tempo de entrega :
8-13 dias
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MOSFET de canal N IRFP4668PBF Transistor 130 A 200 V 520W 9,7 MOhms TO-247AC
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Shenzhen Retechip Electronics Co., Ltd

Verified Supplier
3 Anos
guangdong, shenzhen
Desde 2013
Tipo de empresa :
Distribuidor/atacadista
Produtos principais :
, ,
Total Anual :
5000000-1000000
Número de trabalhadores :
100~150
Nível de certificação :
Verified Supplier
Fornecedor de contacto
Exigência de submissão