Deposição de Magnetron Sputtering na Indústria de Gravação Magnética

Formulários

Princípio de trabalho

O sputtering do magnetron é para formar um campo EM ortogonal acima da superfície alvo do cátodo.Depois do secundário

elétronsgerados a partir do sputtering são acelerados para serem elétrons de alta energia na região de queda catódica, eles

não voe diretamenteao ânodo, mas oscilam para frente e para trás, o que é semelhante ao ciclóide sob a ação de ortogonal

campo EM.Energia altaos elétrons colidem constantemente com as moléculas de gás e transferem energia para as últimas, ionizando-as

em elétrons de baixa energia.Esses elétrons de baixa energia eventualmente derivam ao longo da linha de força magnética para o auxiliar.

ânodo perto do cátodo eentão são absorvidos, evitando o forte bombardeio de elétrons de alta energia para polares

placa e eliminando os danosà placa polar causada pelo aquecimento do bombardeio e irradiação de elétrons em

pulverização secundária, que reflete acaracterística de “baixa temperatura” da placa polar na pulverização catódica do magnetron.

Os movimentos complexos dos elétrons aumentam ataxa de ionização e realizar pulverização catódica de alta velocidade devido à existência

de campo magnético.

Características

Amostra de Revestimento

Etapas do processo

→ Colocar o substrato para revestimento na câmara de vácuo;
→ Aspire a câmara de vácuo em alta e baixa temperatura e gire o substrato de forma síncrona;
→ Revestimento inicial: o substrato é contatado com o precursor em sequência e sem reação simultânea;
→ Purgar com gás nitrogênio de alta pureza após cada reação;
→ Pare de girar o substrato depois que a espessura do filme atingir o padrão e a operação de purga e resfriamento for

concluída e, em seguida, retire o substrato depois que as condições de quebra de vácuo forem atendidas.

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